作者ahoyhoy (!!)
看板Electronics
標題[問題] SDRAM 什麼狀況下才需要refresh?
時間Fri May 28 22:58:46 2010
大家好~~
SDRAM如果閒置過久會因為漏電造成資料的流失。
如果SDRAM一直進行讀寫動作那還需要refresh嗎?
假設
1. SDRAM refresh counts => 2K/32ms (15.625us)
2. 每次寫入/讀出的資料量固定
3. 每次寫入/讀出的位址相同
操作過程_1
|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|
__WRITE_DATA_M____READ_DATA_M___WRITE_DATA_N_____READ_DATA_N....WRITE....READ
操作過程_2
|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|
___WRITE_DATA_M____READ_DATA_M_____READ_DATA_M_____READ_DATA_M.....READ.....
請問各位前輩
以上這兩種情況下還需要做刷新嗎?
-----------------------------------------------------------------------------
另外關於SDRAM的refresh counts是不是只要在 32ms內至少執行2K次的refresh即可
也就是說不必在意每次刷新的週期或時機呢?
操作1：在開頭burst refresh 2K次
|<======== 32ms ========>|<======== 32ms ========>|
REFRESH_2048_____________REFRESH_2048_____________
操作2: 平均每15.625us刷一次
|<======== 32ms ========>|<======== 32ms ========>|
R.15.625us.R...........R..R.15.625us.R...........R
感謝大家~~~
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◆ From: 118.169.76.229
※ 編輯: ahoyhoy 來自: 118.169.76.229 (05/28 23:03)
1F：推 pupucar:datasheet會寫至少多久要RF一次吧 照做就是了 05/28 23:32
2F：→ pupucar:另外除非你能保證時間間隔內 每個addr都會至少存取一次 05/28 23:33
3F：→ pupucar:不然還是乖乖做RF 但就一般應用來說應該沒啥機會 05/28 23:33
4F：→ ahoyhoy:感謝樓上~~ p大指的存取是不分讀或寫嗎? 05/29 00:45
5F：→ ahoyhoy:datasheet裏是寫 2K/32ms 那只要在 32ms內刷2K就好了嗎 05/29 00:45
6F：推 pupucar:根據美光的datasheet操作一跟操作二都可以 05/29 09:04
7F：推 pupucar:應該說是要有precharge的動作 05/29 09:09
8F：→ ahoyhoy:每次讀寫的流程 precharge -> active banks -> w/r 05/29 16:52
9F：→ ahoyhoy:這樣就不需refresh了吧? 05/29 16:52
10F：推 pupucar:你講反了吧 先active才能R/W然後才precharge 05/29 17:30
11F：→ pupucar:如果你能保證每個ROW都能在RF時間內做ACT+PRE動作的話 05/29 17:32
12F：→ pupucar:使用open policy且row miss的話的話你的流程也沒錯啦 05/29 17:34
13F：→ ahoyhoy:感謝p大大~~ 因為讀寫的週期、資料量、位址都是固定且重覆 05/29 22:11
14F：→ ahoyhoy:的行為~ 所以看來refresh動作可以剩下來了~ 感恩~ 05/29 22:12
15F：→ ahoyhoy:p大你提的 open policy, row miss 是指什麼呢? 05/29 22:12
17F：→ pupucar:激的好好研讀 XDY 05/29 23:13
※ 編輯: ahoyhoy 來自: 118.169.76.229 (05/30 09:53)