作者ahoyhoy (!!)
看板Electronics
标题[问题] SDRAM 什麽状况下才需要refresh?
时间Fri May 28 22:58:46 2010
大家好~~
SDRAM如果闲置过久会因为漏电造成资料的流失。
如果SDRAM一直进行读写动作那还需要refresh吗?
假设
1. SDRAM refresh counts => 2K/32ms (15.625us)
2. 每次写入/读出的资料量固定
3. 每次写入/读出的位址相同
操作过程_1
|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|
__WRITE_DATA_M____READ_DATA_M___WRITE_DATA_N_____READ_DATA_N....WRITE....READ
操作过程_2
|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|<=== 16ms ===>|
___WRITE_DATA_M____READ_DATA_M_____READ_DATA_M_____READ_DATA_M.....READ.....
请问各位前辈
以上这两种情况下还需要做刷新吗?
-----------------------------------------------------------------------------
另外关於SDRAM的refresh counts是不是只要在 32ms内至少执行2K次的refresh即可
也就是说不必在意每次刷新的周期或时机呢?
操作1：在开头burst refresh 2K次
|<======== 32ms ========>|<======== 32ms ========>|
REFRESH_2048_____________REFRESH_2048_____________
操作2: 平均每15.625us刷一次
|<======== 32ms ========>|<======== 32ms ========>|
R.15.625us.R...........R..R.15.625us.R...........R
感谢大家~~~
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◆ From: 118.169.76.229
※ 编辑: ahoyhoy 来自: 118.169.76.229 (05/28 23:03)
1F：推 pupucar:datasheet会写至少多久要RF一次吧 照做就是了 05/28 23:32
2F：→ pupucar:另外除非你能保证时间间隔内 每个addr都会至少存取一次 05/28 23:33
3F：→ pupucar:不然还是乖乖做RF 但就一般应用来说应该没啥机会 05/28 23:33
4F：→ ahoyhoy:感谢楼上~~ p大指的存取是不分读或写吗? 05/29 00:45
5F：→ ahoyhoy:datasheet里是写 2K/32ms 那只要在 32ms内刷2K就好了吗 05/29 00:45
6F：推 pupucar:根据美光的datasheet操作一跟操作二都可以 05/29 09:04
7F：推 pupucar:应该说是要有precharge的动作 05/29 09:09
8F：→ ahoyhoy:每次读写的流程 precharge -> active banks -> w/r 05/29 16:52
9F：→ ahoyhoy:这样就不需refresh了吧? 05/29 16:52
10F：推 pupucar:你讲反了吧 先active才能R/W然後才precharge 05/29 17:30
11F：→ pupucar:如果你能保证每个ROW都能在RF时间内做ACT+PRE动作的话 05/29 17:32
12F：→ pupucar:使用open policy且row miss的话的话你的流程也没错啦 05/29 17:34
13F：→ ahoyhoy:感谢p大大~~ 因为读写的周期、资料量、位址都是固定且重覆 05/29 22:11
14F：→ ahoyhoy:的行为~ 所以看来refresh动作可以剩下来了~ 感恩~ 05/29 22:12
15F：→ ahoyhoy:p大你提的 open policy, row miss 是指什麽呢? 05/29 22:12
17F：→ pupucar:激的好好研读 XDY 05/29 23:13
※ 编辑: ahoyhoy 来自: 118.169.76.229 (05/30 09:53)