※ 引述《h816090 (～Argon～)》之銘言： : 有三個關於半導體的問題想要請教一下 : 1. 拿pn junction去做solar cell，照光去打~產生電子電洞對 : 拉出來產生電流 : 那如果加熱~溫度很高~一樣會產生電子電洞對~為什麼量不到電流呢? : 都有pn junction~為什麼加熱這個方法卻行不通呢? solar cell是由於入射光的頻率不同(光子)去產生的光伏效應，不是因為溫度升高， 而產生電子電洞對的緣故。 另外，當你加熱時，溫度越高，PN接面的晶格振動愈強，因此載子的遷移率會降低， 當然就沒有電流可言。 以上只是略述，細節請參考電子學或是固態物理中的PN接面的章節。 : 2. 不管是蒸鍍鋁或是e-gun鍍金或銀 : 為什麼看的是融點~而不是沸點呢? 不是要使金屬揮發成氣體~在去鍍嗎? : 怎麼大家都是在談融點呢?><" 所謂的蒸鍍，是藉著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的 飽和蒸氣壓，此時，原本處於固態的蒸鍍源的蒸發能力將非常強，利用這些被蒸發出來 的蒸鍍源原子，我們可以在離蒸鍍源上方不遠處的晶片表面上，進行薄膜的沉積。 所以我們只考慮被蒸鍍物的熔點，而非沸點。 以上只是略述，細節請參考蒸鍍原理。 : 3. 在蝕刻時~(111)面速度比(110)面慢~可是為什麼面原子密度卻是 : (110)面比較大呢?~照理說面原子密度大的~蝕刻速度慢~這點沒錯吧?><" : 算原子密度不是正好可以去判斷蝕刻時的快慢嗎? 謝謝 這跟原子密度是無關的。我想你應該知道等向性蝕刻與非等向性蝕刻吧?! 利用矽結晶面造成的蝕刻速度差異，可製作出不同的溝槽。 我們先就矽的結晶來說明(111)與(110)或是(100)蝕刻速率不同的原因 矽的結晶是呈金剛石狀的結構，內部的矽原子以4條化學鍵的方式形成共價鍵。 而在表面的矽原子，其結合方式隨結晶面的不同而各異。 例如，在（100）面上，4條共價鍵中，2條斷開，2條相連。 (111) 面上，3條共價鍵連接，只有1條斷開。 因此，（111）面比（100）面更難進行蝕刻（蝕刻速度較慢）。 以上的問題，建議原po可以去找更深入的書來看。 -- 在臺灣，何謂R&D工程師? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。 2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。 3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話! 4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡) 但是外派到大陸的臺彎郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割! --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.64.224.203 ※ 編輯: jfsu 來自: 61.64.224.203 (04/09 01:31)