※ 引述《h816090 (～Argon～)》之铭言： : 有三个关於半导体的问题想要请教一下 : 1. 拿pn junction去做solar cell，照光去打~产生电子电洞对 : 拉出来产生电流 : 那如果加热~温度很高~一样会产生电子电洞对~为什麽量不到电流呢? : 都有pn junction~为什麽加热这个方法却行不通呢? solar cell是由於入射光的频率不同(光子)去产生的光伏效应，不是因为温度升高， 而产生电子电洞对的缘故。 另外，当你加热时，温度越高，PN接面的晶格振动愈强，因此载子的迁移率会降低， 当然就没有电流可言。 以上只是略述，细节请参考电子学或是固态物理中的PN接面的章节。 : 2. 不管是蒸镀铝或是e-gun镀金或银 : 为什麽看的是融点~而不是沸点呢? 不是要使金属挥发成气体~在去镀吗? : 怎麽大家都是在谈融点呢?><" 所谓的蒸镀，是藉着对被蒸镀物体加热，利用被蒸镀物在接近熔点时的高温所具备的 饱和蒸气压，此时，原本处於固态的蒸镀源的蒸发能力将非常强，利用这些被蒸发出来 的蒸镀源原子，我们可以在离蒸镀源上方不远处的晶片表面上，进行薄膜的沉积。 所以我们只考虑被蒸镀物的熔点，而非沸点。 以上只是略述，细节请参考蒸镀原理。 : 3. 在蚀刻时~(111)面速度比(110)面慢~可是为什麽面原子密度却是 : (110)面比较大呢?~照理说面原子密度大的~蚀刻速度慢~这点没错吧?><" : 算原子密度不是正好可以去判断蚀刻时的快慢吗? 谢谢 这跟原子密度是无关的。我想你应该知道等向性蚀刻与非等向性蚀刻吧?! 利用矽结晶面造成的蚀刻速度差异，可制作出不同的沟槽。 我们先就矽的结晶来说明(111)与(110)或是(100)蚀刻速率不同的原因 矽的结晶是呈金刚石状的结构，内部的矽原子以4条化学键的方式形成共价键。 而在表面的矽原子，其结合方式随结晶面的不同而各异。 例如，在（100）面上，4条共价键中，2条断开，2条相连。 (111) 面上，3条共价键连接，只有1条断开。 因此，（111）面比（100）面更难进行蚀刻（蚀刻速度较慢）。 以上的问题，建议原po可以去找更深入的书来看。 -- 在台湾，何谓R&D工程师? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去胶，打开封装，拍照，复制电路布局。 2.Resign and Die :没死的就操到辞职，没辞职的就操到死。 3.Rework and Debug :计画永远跟不上变化，变化永远跟不上老板的一句话! 4.Relax and Delay :太过於轻松(Relax)，那麽就会Random Death (随时阵亡) 但是外派到大陆的台弯郎，晚上是R (鸭)陪客户，白天是D (猪)任人宰割! --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 61.64.224.203 ※ 编辑: jfsu 来自: 61.64.224.203 (04/09 01:31)