※ 引述《ian60702 (pacific hero)》之銘言： : 請問為什麼drift current Is 會跟位能障礙Vo無關呢? : 空乏區內的電場越大(就是加了逆向偏壓的時候)Is應該也會越大吧? : 為什麼逆向偏壓時Is仍維持常數呢? : 而位能障礙和空乏區內的電場應該也有關係吧!? : 請問我的觀念哪裡錯了= =... : 煩請高手指正..... Is在實際情況下，不會維持常數，當逆向偏壓增加到崩潰電壓(breakdown Voltage) 電流就會陡降，這點可以參考一下電流-電壓曲線(I-V curve)。 不過，考慮理想化的情況，外加反向電壓，由於空乏區內沒有電流產生； 所有的電流來自中性區。n型中性區域沒有電場，因此 通過P-N二極體元件的總電流為常數，且為： J= Jp(xn) +Jn (-xp )= Js[e^(qV / kT) -1] Js定義為(q*Dp*Pno)/Lp + (q*Dn*Npo)/Ln 其中Js 是飽和電流密度（saturation current density）。 此式為理想二極體方程式（ideal diode equation） (註：你說的Is其實就是Js，只差於乘於一個單位面積) 從公式上,Js跟Vo是沒有相關。 公式推導的部份請參考半導體元件，P-N juntion部份。) 這裡頭會有更詳細的說明。 -- 在臺灣，何謂R&D工程師? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。 2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。 3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話! 4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡) 但是外派到大陸的臺彎郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割! --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 203.66.222.12