※ 引述《ian60702 (pacific hero)》之铭言： : 请问为什麽drift current Is 会跟位能障碍Vo无关呢? : 空乏区内的电场越大(就是加了逆向偏压的时候)Is应该也会越大吧? : 为什麽逆向偏压时Is仍维持常数呢? : 而位能障碍和空乏区内的电场应该也有关系吧!? : 请问我的观念哪里错了= =... : 烦请高手指正..... Is在实际情况下，不会维持常数，当逆向偏压增加到崩溃电压(breakdown Voltage) 电流就会陡降，这点可以参考一下电流-电压曲线(I-V curve)。 不过，考虑理想化的情况，外加反向电压，由於空乏区内没有电流产生； 所有的电流来自中性区。n型中性区域没有电场，因此 通过P-N二极体元件的总电流为常数，且为： J= Jp(xn) +Jn (-xp )= Js[e^(qV / kT) -1] Js定义为(q*Dp*Pno)/Lp + (q*Dn*Npo)/Ln 其中Js 是饱和电流密度（saturation current density）。 此式为理想二极体方程式（ideal diode equation） (注：你说的Is其实就是Js，只差於乘於一个单位面积) 从公式上,Js跟Vo是没有相关。 公式推导的部份请参考半导体元件，P-N juntion部份。) 这里头会有更详细的说明。 -- 在台湾，何谓R&D工程师? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去胶，打开封装，拍照，复制电路布局。 2.Resign and Die :没死的就操到辞职，没辞职的就操到死。 3.Rework and Debug :计画永远跟不上变化，变化永远跟不上老板的一句话! 4.Relax and Delay :太过於轻松(Relax)，那麽就会Random Death (随时阵亡) 但是外派到大陆的台弯郎，晚上是R (鸭)陪客户，白天是D (猪)任人宰割! --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 203.66.222.12