作者wwwok (勇敢的堅持下去)
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標題Re: [問題] 電晶體的 W L ，會用到小數點嗎？
時間Sat Oct 17 18:58:18 2009
想請問一下 我看許多設計上都會將L給固定一個值
而且通常W的值都會比L還要大(說不定是我電路看太少)
我想請問的是 如果一顆MOS的L比W還要大的話
會有什麼不好的影響嗎？
※ 引述《jfsu (水精靈)》之銘言：
: ※ 引述《kk123 (╭(′▽`)╯)》之銘言：
: : 請問各位板友，
: : 你們在 design 時，MOS 的 W,L 會用到小數點嗎？
: : （ex. W=5.6u L=1.2u）
: : 用到的機率多還是少？
: 100%會用到吧。
: 我手邊的90nm的DRAM產品，小數點後2~3位...XD，而且都沒有成比例。
: 如果只是純邏輯電路的話，那頂多小數點後一位，反正只要分得出0或1就好。
: (就算是把INV當Buffer使用，也不需用到小數點。)
: NAND，NOR看是幾個port的input，就照比例即可。
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只有在愛一個人的時候 才會發現原來可以這麼在乎一個人
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◆ From: 140.124.32.131
1F：推 bb7:這要看你mos是拿來做甚麼的"用途"吧 10/17 19:11
2F：→ bb7:如果今天拿來做電阻..那L就會比W大了 10/17 19:12
3F：→ bb7:另外小數點的問題..這要回去看手冊,看製程本身的解析度 10/17 19:13
4F：→ bb7:以.35um製程為例,你畫到小數點第二位是無意義的 10/17 19:13
5F：→ wwwok:恩恩 那麼操作在sat(交流下)不是會有一個ro的等效電阻嗎？ 10/17 19:55
6F：→ wwwok:那跟操作在tri下的電晶體電阻有何不同呢？ 10/17 19:55
7F：→ wwwok:我的想法是說 在tri的電阻 是會隨vds而變動的 10/17 19:56
8F：→ wwwok:在sat的因為vds幾乎固定住 所以電阻幾乎不會變動 10/17 19:56
9F：→ wwwok:而且在sat的電阻比tri的電阻大很多 不知道我這樣想正確嗎 10/17 19:57
10F：→ wwwok:多謝指教了^^ 10/17 19:57
11F：推 pow:電阻的定義就是 V和I要成正比 你的I一直變 V沒有變 表示.... 10/17 23:54
12F：→ pow:看一下Razavi和Baker吧 10/17 23:54
13F：推 jamtu:有什麼時候電晶體要用在triode?? 10/18 00:13
14F：推 pdaer:當成電阻時 三極管區電流隨電壓變動 若飽和區就是當電流源了 10/18 05:10
15F：→ pdaer:從特性曲線Id-Vds就可以很清楚得知 10/18 05:10
16F：推 ginnyisme:deep triode region時FET可以拿來當電阻... 10/18 07:14
17F：推 cpt:當switch用的時候就是deep triode囉 10/18 07:57
18F：推 cpt:回到原來的問題 你可以把W想成肌肉 L想成贅肉 10/18 08:01
19F：→ cpt:肌肉>>贅肉 整個就是強而有力 贅肉>>肌肉 舉步維艱 10/18 08:02
20F：→ cpt:肌肉和贅肉比例固定 但體重較輕者 寄生電容少 動作較靈活 10/18 08:03
21F：推 jamtu:所以實做上電阻就是這樣做的囉~~? 10/18 13:15
22F：推 cpt:電阻很多做法 也可以用 poly n-well diffusion 甚至metal也行 10/18 13:25
23F：→ cpt:差別在於電阻密度 溫度係數和process variation 10/18 13:26
24F：推 pdaer:poly做電阻精確度還真的很囧...要看用途囉... 10/18 13:42
25F：推 pow:實作電阻 foundry的design kit看一下就知道了 10/18 20:15
26F：→ wwwok:突然想到一個問題 要是MOS操作在SATURATION 但是L的值卻比W 10/18 23:20
27F：→ wwwok:還要大 那麼這樣依然是定電流源嗎? 10/18 23:21
28F：→ wwwok:還是這只是為了增加小ro的一種作法呢？ 10/18 23:23
29F：推 bb7:L值大表示channal length modulation效應小,會更接近定電流源 10/18 23:59
30F：→ bb7:建議回去翻一下AIC課本就可以瞭解了 10/19 00:00