作者wwwok (勇敢的坚持下去)
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标题Re: [问题] 电晶体的 W L ，会用到小数点吗？
时间Sat Oct 17 18:58:18 2009
想请问一下 我看许多设计上都会将L给固定一个值
而且通常W的值都会比L还要大(说不定是我电路看太少)
我想请问的是 如果一颗MOS的L比W还要大的话
会有什麽不好的影响吗？
※ 引述《jfsu (水精灵)》之铭言：
: ※ 引述《kk123 (╭(′▽`)╯)》之铭言：
: : 请问各位板友，
: : 你们在 design 时，MOS 的 W,L 会用到小数点吗？
: : （ex. W=5.6u L=1.2u）
: : 用到的机率多还是少？
: 100%会用到吧。
: 我手边的90nm的DRAM产品，小数点後2~3位...XD，而且都没有成比例。
: 如果只是纯逻辑电路的话，那顶多小数点後一位，反正只要分得出0或1就好。
: (就算是把INV当Buffer使用，也不需用到小数点。)
: NAND，NOR看是几个port的input，就照比例即可。
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只有在被爱的时候 才会发现自己是多麽的重要
只有在爱一个人的时候 才会发现原来可以这麽在乎一个人
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.124.32.131
1F：推 bb7:这要看你mos是拿来做甚麽的"用途"吧 10/17 19:11
2F：→ bb7:如果今天拿来做电阻..那L就会比W大了 10/17 19:12
3F：→ bb7:另外小数点的问题..这要回去看手册,看制程本身的解析度 10/17 19:13
4F：→ bb7:以.35um制程为例,你画到小数点第二位是无意义的 10/17 19:13
5F：→ wwwok:恩恩 那麽操作在sat(交流下)不是会有一个ro的等效电阻吗？ 10/17 19:55
6F：→ wwwok:那跟操作在tri下的电晶体电阻有何不同呢？ 10/17 19:55
7F：→ wwwok:我的想法是说 在tri的电阻 是会随vds而变动的 10/17 19:56
8F：→ wwwok:在sat的因为vds几乎固定住 所以电阻几乎不会变动 10/17 19:56
9F：→ wwwok:而且在sat的电阻比tri的电阻大很多 不知道我这样想正确吗 10/17 19:57
10F：→ wwwok:多谢指教了^^ 10/17 19:57
11F：推 pow:电阻的定义就是 V和I要成正比 你的I一直变 V没有变 表示.... 10/17 23:54
12F：→ pow:看一下Razavi和Baker吧 10/17 23:54
13F：推 jamtu:有什麽时候电晶体要用在triode?? 10/18 00:13
14F：推 pdaer:当成电阻时 三极管区电流随电压变动 若饱和区就是当电流源了 10/18 05:10
15F：→ pdaer:从特性曲线Id-Vds就可以很清楚得知 10/18 05:10
16F：推 ginnyisme:deep triode region时FET可以拿来当电阻... 10/18 07:14
17F：推 cpt:当switch用的时候就是deep triode罗 10/18 07:57
18F：推 cpt:回到原来的问题 你可以把W想成肌肉 L想成赘肉 10/18 08:01
19F：→ cpt:肌肉>>赘肉 整个就是强而有力 赘肉>>肌肉 举步维艰 10/18 08:02
20F：→ cpt:肌肉和赘肉比例固定 但体重较轻者 寄生电容少 动作较灵活 10/18 08:03
21F：推 jamtu:所以实做上电阻就是这样做的罗~~? 10/18 13:15
22F：推 cpt:电阻很多做法 也可以用 poly n-well diffusion 甚至metal也行 10/18 13:25
23F：→ cpt:差别在於电阻密度 温度系数和process variation 10/18 13:26
24F：推 pdaer:poly做电阻精确度还真的很囧...要看用途罗... 10/18 13:42
25F：推 pow:实作电阻 foundry的design kit看一下就知道了 10/18 20:15
26F：→ wwwok:突然想到一个问题 要是MOS操作在SATURATION 但是L的值却比W 10/18 23:20
27F：→ wwwok:还要大 那麽这样依然是定电流源吗? 10/18 23:21
28F：→ wwwok:还是这只是为了增加小ro的一种作法呢？ 10/18 23:23
29F：推 bb7:L值大表示channal length modulation效应小,会更接近定电流源 10/18 23:59
30F：→ bb7:建议回去翻一下AIC课本就可以了解了 10/19 00:00