碳材料沒有廣泛用在半導體材料的原因 C的單晶為鑽石 1. 合成鑽石 : 用來當做基板 還是貴吧(無法像Si wafer那麼普及) CVD鑽石薄膜 : 目前實驗無法大面積(>4吋)成長鑽石薄膜,國內都是小面積且均勻度不好, 又為一高溫製程 2.以鑽石的dpoing來說 p-type doping diamond 製程技術算成熟, 且已經有一些產品 n-type doping目前沒有一個研究團隊的製程勘稱穩定成熟,頂多發表paper 3. 若以amorphous carbon thin film薄膜材料來做doping 會遇到的問題,University of Camdridge的John Robertson的文章中以說明過 4. 要以Carbon nanotube來做半導體材料 (1)一定要長成single walled CNT, 但裡面其實是metallic與semicinducting的混合 (2)長好後,又要將semiconducting SWNT分離出來的技術,仍屬於學術研究 ※ 引述《wxes60711 (Anthony)》之銘言： : 想請問一下~ : 目前半導體主要都是以Si作為原料 : 但是同為4A族還有C Ge Sn Pb : 好像早期的二極體和電晶體都是以Ge為原料 : 為何到最後都改成用Si了?? : 而常見的C卻根本沒聽過用在半導體上?? : 是因為C鍵結的性質嗎?? : 謝謝!! --

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