作者Lary (PTTuser)
看板Electronics
標題Re: [問題] 有關爾利效應的選擇題
時間Tue Sep 15 08:35:56 2009
※ 引述《Lary (PTTuser)》之銘言：
: ※ 引述《kurama1984 (斷顏殘臂)》之銘言：
: : MOSFET 中厄利效應（Early Effect）最主要之成因為何？
: : A.基板和閘極之間的p-n 接面 B.閘極和源極之間空乏區互相影響
: : C.通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 D.崩潰效應
: : ans:c
: : 查了資料都沒講到閘極和汲極的影響，請問C的答案是怎麼影響的？
: BJT一般都操作在
: base-emitter順偏
: base-collector逆偏
: 假設今天沒有Early effect
: collector current與Vce應該是無關的
: 但是當Vce變大(collector對base逆偏越大)時
: collector-base的depletion region會隨逆偏電壓變大
: (怎麼算有點小複雜 請看大施敏或小施敏)
: 這時collector到emitter之間的距離就變小了
: 因為minority carrier的濃度不變
: minority carrier life time也不變
: 但是diffucion length變短了
: 所以電流就變大了
: 這就是Early effect
: 有點像是MOSFET裡的short channel effect
說錯了 如deathcustom所說 在MOS是channel modulation
附上MOS short channel effects
drain-induced barrier lowering and punchthrough
surface scattering
velocity saturation
impact ionization
hot electrons
Ref.
http://www.cs.ucl.ac.uk/staff/ucacdxq/projects/vlsi/report.pdf
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◆ From: 123.195.2.141
1F：→ kurama1984:各位，我的重點是閘極和汲極的影響，是爾利還是通道你 09/15 18:15
2F：→ kurama1984:懂我懂就可以了 09/15 18:16
3F：→ kurama1984:有人說說閘極和汲極的影響嗎？ 09/15 18:17