作者Lary (PTTuser)
看板Electronics
标题Re: [问题] 有关尔利效应的选择题
时间Tue Sep 15 08:35:56 2009
※ 引述《Lary (PTTuser)》之铭言：
: ※ 引述《kurama1984 (断颜残臂)》之铭言：
: : MOSFET 中厄利效应（Early Effect）最主要之成因为何？
: : A.基板和闸极之间的p-n 接面 B.闸极和源极之间空乏区互相影响
: : C.通道长度因为闸极和汲极的逆偏而影响 D.崩溃效应
: : ans:c
: : 查了资料都没讲到闸极和汲极的影响，请问C的答案是怎麽影响的？
: BJT一般都操作在
: base-emitter顺偏
: base-collector逆偏
: 假设今天没有Early effect
: collector current与Vce应该是无关的
: 但是当Vce变大(collector对base逆偏越大)时
: collector-base的depletion region会随逆偏电压变大
: (怎麽算有点小复杂 请看大施敏或小施敏)
: 这时collector到emitter之间的距离就变小了
: 因为minority carrier的浓度不变
: minority carrier life time也不变
: 但是diffucion length变短了
: 所以电流就变大了
: 这就是Early effect
: 有点像是MOSFET里的short channel effect
说错了 如deathcustom所说 在MOS是channel modulation
附上MOS short channel effects
drain-induced barrier lowering and punchthrough
surface scattering
velocity saturation
impact ionization
hot electrons
Ref.
http://www.cs.ucl.ac.uk/staff/ucacdxq/projects/vlsi/report.pdf
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 123.195.2.141
1F：→ kurama1984:各位，我的重点是闸极和汲极的影响，是尔利还是通道你 09/15 18:15
2F：→ kurama1984:懂我懂就可以了 09/15 18:16
3F：→ kurama1984:有人说说闸极和汲极的影响吗？ 09/15 18:17