作者kurama1984 (斷顏殘臂)
看板Electronics
標題[問題] 有關爾利效應的選擇題
時間Mon Sep 14 23:03:20 2009
MOSFET 中厄利效應（Early Effect）最主要之成因為何？
A.基板和閘極之間的p-n 接面 B.閘極和源極之間空乏區互相影響
C.通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 D.崩潰效應
ans:c
查了資料都沒講到閘極和汲極的影響，請問C的答案是怎麼影響的？
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