作者kurama1984 (断颜残臂)
看板Electronics
标题[问题] 有关尔利效应的选择题
时间Mon Sep 14 23:03:20 2009
MOSFET 中厄利效应（Early Effect）最主要之成因为何？
A.基板和闸极之间的p-n 接面 B.闸极和源极之间空乏区互相影响
C.通道长度因为闸极和汲极的逆偏而影响 D.崩溃效应
ans:c
查了资料都没讲到闸极和汲极的影响，请问C的答案是怎麽影响的？
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