: -------------------------------------------- : 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系) : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程 : 解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上 : 問題： : 1.為什麼III-V要反過來寫? : 2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓? : 3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程? 幾位大大已經解釋過了，在此幫補。 Q1.筆誤?一般都習慣寫成III-V族 Q2.目前的積體電路都製作於矽晶圓上。用鍺(Ge)與砷化鎵(GaAs)，III-V族，比起作在 矽晶圓上，各有其用途上的優缺點。 Q3.MOSFET是一種電晶體的名稱，是一種元件。 CMOS則是使用NMOS與PMOS兩種元件來實現積體電路。 也就是說，有單獨使用NMOS或是PMOS製程技術來實現積體電路。 : 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所) : High Mobility Technologies and Physics : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：高流動性之技術與其物理特性 : 解釋為：查了這位教授的研究領域 : {應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術 : 問題： : 1.什麼流動性技術?是說電子間的流動? Mobility，中文翻譯成遷移率或移動率，包含電子與電洞。不同製程技術 (ex.使用Si or SiGe or GaAs晶圓，單就電子的移動率就差了好幾倍) : 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心) : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics : Grown on Semiconductors : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響 : 解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料 : 問題： : 1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢? : 2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思? : 3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or? Q1:成長於... Q2.Nano-thick，奈米厚度 Q3.High-K Dielectrics，高介電系數材料。就是MOS縮寫中的O，oxide。 它是有厚度的。以往都是使用SiO2，但製程越來越小(.09um, .045um, 0.038um)， 漏電流逐漸變大，而使用High-K能減少漏電流 : 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心) : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體 : 解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體 : 問題： : 非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料 : 並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體 : 1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM : 是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?-- : 2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎? 謝光宇，以前我學校材料所的老師，固態物理是他的強項。 Q1.旺宏作的是Non-volatile (像在Wii中，有使用Mask Rom)。 快閃隨身碟(flash disk)是屬於Non-volatile memory沒錯，但Flash有分為NOR 與Nand type，前者為 code-storage，後者為data storage。MP3隨身聽用的是後者。 Q2.承上，FLASH記憶體不止應用在攜帶之產品(portable product)，像桌上型電腦中的 CMOS，桌上機，手機，硬諜.....裡頭都有flash，這邊就是屬於前者。 : 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系) : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) : by STM : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構 : 問題： : 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope) : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? : 3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是? Q1.是的，可用於材料表面分析。 Q2.(xyz)為密勒指數(Miller indices)，為界定晶體中不同平面的方法。 Z ∣ ∣ ████＿＿＿＿ Y ████ ／ ████ X (100)表距離X軸為1且平行於YZ平面。 : 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系) : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層 : OR : 在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化) : 問題： : 1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞? : 2.high k也是高介電材料的意思? Q1.InGaAs: 砷化銦鎵，它不是元素，是一種三元化合物，即In, Ga, As三種元素形成的 化合物。 Q2.High K就是高介電材料的簡稱.。K就是介電系數。 deposite是沉積，epitaxy是磊晶，真的要區分的話是不太一樣的。 -- 對流血一週仍然不死的生物千萬不能大意……。 --

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