: -------------------------------------------- : 1.郭瑞年主任 (国立清华大学/物理系) : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 以上我翻为：了解 元素"锗"与第V-III族元素之MOSFET运用於Si CMOS制程 : 解释为：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半场效电晶体)来用在积体电路制程上 : 问题： : 1.为什麽III-V要反过来写? : 2.CMOS前面为何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圆? : 3.MOSFET是算是一种方法? 而CMOS是一种完整制程? 几位大大已经解释过了，在此帮补。 Q1.笔误?一般都习惯写成III-V族 Q2.目前的积体电路都制作於矽晶圆上。用锗(Ge)与砷化镓(GaAs)，III-V族，比起作在 矽晶圆上，各有其用途上的优缺点。 Q3.MOSFET是一种电晶体的名称，是一种元件。 CMOS则是使用NMOS与PMOS两种元件来实现积体电路。 也就是说，有单独使用NMOS或是PMOS制程技术来实现积体电路。 : 2.刘致为教授 (国立台湾大学/电子工程学研究所) : High Mobility Technologies and Physics : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：高流动性之技术与其物理特性 : 解释为：查了这位教授的研究领域 : {应变矽／high K／金属闸．积体SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光电元件．MOS可靠度．SOI技术 : 问题： : 1.什麽流动性技术?是说电子间的流动? Mobility，中文翻译成迁移率或移动率，包含电子与电洞。不同制程技术 (ex.使用Si or SiGe or GaAs晶圆，单就电子的移动率就差了好几倍) : 3.徐嘉鸿副研究员 (国家同步辐射研究中心) : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics : Grown on Semiconductors : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：奈米级厚度的高介电材料之结构特性对半导体的影响 : 解译为：就是要探讨奈米厚度的半导体介电材料 : 问题： : 1.Grown on是翻成影响还是磊晶呢? : 2.Nani-thick应该是指厚度吧~或是其他意思? : 3.所以这材料如果以厚度来说，它是粒子or膜or? Q1:成长於... Q2.Nano-thick，奈米厚度 Q3.High-K Dielectrics，高介电系数材料。就是MOS缩写中的O，oxide。 它是有厚度的。以往都是使用SiO2，但制程越来越小(.09um, .045um, 0.038um)， 漏电流逐渐变大，而使用High-K能减少漏电流 : 4.谢光宇 处长 (旺宏电子股份有限公司奈米科技研发中心) : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：挑战并创新非挥发性记忆体 : 解释为：旺宏是一家半导体商，所以要展示新型非挥发记忆体 : 问题： : 非挥发性记忆体(Non-volatile memory)是指即使电源供应中断，记忆体所储存的资料 : 并不会消失，重新供电後，就能够读取内存资料的记忆体 : 1.快闪随身碟就是此类型，想问的是一般桌机用的DDR-RAM : 是(volatile)类的，不是(Non-volatile)没错吧?-- : 2.目前non-volatile多用於MP3随身听，FLASH记忆体等随身携带之产品是吗? 谢光宇，以前我学校材料所的老师，固态物理是他的强项。 Q1.旺宏作的是Non-volatile (像在Wii中，有使用Mask Rom)。 快闪随身碟(flash disk)是属於Non-volatile memory没错，但Flash有分为NOR 与Nand type，前者为 code-storage，後者为data storage。MP3随身听用的是後者。 Q2.承上，FLASH记忆体不止应用在携带之产品(portable product)，像桌上型电脑中的 CMOS，桌上机，手机，硬谍.....里头都有flash，这边就是属於前者。 : 5.邱雅萍助理教授 (国立中山大学/物理系) : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) : by STM : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：用STM直接研究Gd2O3(氧化钆)附在GaAs(砷化镓?)上之介面结构 : 问题： : 1.STM是指扫描穿遂电子显微镜(scanning tunneling microscope) : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? : 3.这可能是材料的问题，物理系也有做这一类研究的主要研究导向是? Q1.是的，可用於材料表面分析。 Q2.(xyz)为密勒指数(Miller indices)，为界定晶体中不同平面的方法。 Z ∣ ∣ ████＿＿＿＿ Y ████ ／ ████ X (100)表距离X轴为1且平行於YZ平面。 : 6.黄懋霖博士 (国立清华大学/材料科学工程学系) : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：原子层沉积(磊晶)於高相对介电系数之InGaAs(铟镓砷?)上做为保护层 : OR : 在InGaAs上沉积高介电材料原子层以做保护层(表面钝化) : 问题： : 1.InGaAs是指元素还是这是一个专有名词? : 2.high k也是高介电材料的意思? Q1.InGaAs: 砷化铟镓，它不是元素，是一种三元化合物，即In, Ga, As三种元素形成的 化合物。 Q2.High K就是高介电材料的简称.。K就是介电系数。 deposite是沉积，epitaxy是磊晶，真的要区分的话是不太一样的。 -- 对流血一周仍然不死的生物千万不能大意……。 --

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