※ 引述《deathcustom ()》之銘言： : ※ 引述《bmwfisher (大腸直長長)》之銘言： : : 各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝 : : 以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝 : : -------------------------------------------- : : 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系) : : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS 以鍺與三五族替代矽，實現互補型金屬氧化物半導體 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程 : : 解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上 : : 問題： : : 1.為什麼III-V要反過來寫? : : 2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓? : : 3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程? : realization: 實現 : beyond: 在...之後 : 實現Ge及三五族元素之MOS製程（這個東西比SI CMOS更先進） : MOSFET: Metal-Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor : 金氧半場效電晶體 : 主要是指他的結構及導通操作方式 : CMOS: Complementary MOSFET : 由PMOS、NMOS完整組成的電路 : Si-CMOS仍然是現在數位電路主要的設計法 : （雖然早已經出現了Pseudo-跟Domino等等高速的設計法） : : 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所) : : High Mobility Technologies and Physics 高遷移率性之技術與其物理特性 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻為：高流動性之技術與其物理特性 : : 解釋為：查了這位教授的研究領域 : : {應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術 : : 問題： : : 1.什麼流動性技術?是說電子間的流動? : Mobility: 指的是 I = 0.5 U*Cox(W/L)Vov^2 : 裡面那個U : 其實是可以看成導電程度，也就是下面那個介電係數 : : 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心) : : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics : : Grown on Semiconductors 長於半導體上奈米厚高介電材料之結構特性 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響 : : 解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料 : : 問題： : : 1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢? : 後者 : : 2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思? : Nano-Thick/Thickness : 指的就是薄的Silicon Dioxide : 也就是Gate : 厚度是幾個到幾十個原子，只有不到10nm的厚度（甚至更少） : : 3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or? : : 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心) : : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory 非揮發性記憶體之挑戰與最新發展 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體 : : 解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體 : : 問題： : : 非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料 : : 並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體 : : 1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM : : 是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?-- : : 2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎? : 很多東西都會用到NVM : 當然你說的那些也是 : : 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系) : : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) 直接觀察磊晶Gd2O3(氧化釓)長在GaAs(砷化鎵)上之介面結構 : : by STM : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構 : : 問題： : : 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope) : : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? : 100應該指的是磊晶型態 : 更明確的說就是平行yz-plane作切片（我應該沒記錯～～～吧？） : : 3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是? : 物理系、材料系、化學系、化工系、電機系、電子系都有機會作這類研究 : : 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系) : : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation 使用原子層沉積技術在InGaAs(銦鎵砷?)上製造高界電係數材料：用於表面披覆 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層 : : OR : : 在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化) : : 問題： : : 1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞? : 指的是由這三種元素組成的特殊材料 : : 2.high k也是高介電材料的意思? : Yes -- 我只給你我的翻譯 單PO英文上來問意思 我可以幫忙解釋 單波英文上來問翻譯 我也盡量幫忙 不過要我解釋為什麼這樣翻的話 要收錢的:p -- --

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