※ 引述《deathcustom ()》之铭言： : ※ 引述《bmwfisher (大肠直长长)》之铭言： : : 各位好~想请问各位专有名词 这样翻是否正确 以及资讯是否正确~谢谢 : : 以下是科展的主题~请各位帮忙~谢谢 : : -------------------------------------------- : : 1.郭瑞年主任 (国立清华大学/物理系) : : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS 以锗与三五族替代矽，实现互补型金属氧化物半导体 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 以上我翻为：了解 元素"锗"与第V-III族元素之MOSFET运用於Si CMOS制程 : : 解释为：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半场效电晶体)来用在积体电路制程上 : : 问题： : : 1.为什麽III-V要反过来写? : : 2.CMOS前面为何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圆? : : 3.MOSFET是算是一种方法? 而CMOS是一种完整制程? : realization: 实现 : beyond: 在...之後 : 实现Ge及三五族元素之MOS制程（这个东西比SI CMOS更先进） : MOSFET: Metal-Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor : 金氧半场效电晶体 : 主要是指他的结构及导通操作方式 : CMOS: Complementary MOSFET : 由PMOS、NMOS完整组成的电路 : Si-CMOS仍然是现在数位电路主要的设计法 : （虽然早已经出现了Pseudo-跟Domino等等高速的设计法） : : 2.刘致为教授 (国立台湾大学/电子工程学研究所) : : High Mobility Technologies and Physics 高迁移率性之技术与其物理特性 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻为：高流动性之技术与其物理特性 : : 解释为：查了这位教授的研究领域 : : {应变矽／high K／金属闸．积体SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光电元件．MOS可靠度．SOI技术 : : 问题： : : 1.什麽流动性技术?是说电子间的流动? : Mobility: 指的是 I = 0.5 U*Cox(W/L)Vov^2 : 里面那个U : 其实是可以看成导电程度，也就是下面那个介电系数 : : 3.徐嘉鸿副研究员 (国家同步辐射研究中心) : : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics : : Grown on Semiconductors 长於半导体上奈米厚高介电材料之结构特性 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻为：奈米级厚度的高介电材料之结构特性对半导体的影响 : : 解译为：就是要探讨奈米厚度的半导体介电材料 : : 问题： : : 1.Grown on是翻成影响还是磊晶呢? : 後者 : : 2.Nani-thick应该是指厚度吧~或是其他意思? : Nano-Thick/Thickness : 指的就是薄的Silicon Dioxide : 也就是Gate : 厚度是几个到几十个原子，只有不到10nm的厚度（甚至更少） : : 3.所以这材料如果以厚度来说，它是粒子or膜or? : : 4.谢光宇 处长 (旺宏电子股份有限公司奈米科技研发中心) : : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory 非挥发性记忆体之挑战与最新发展 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻为：挑战并创新非挥发性记忆体 : : 解释为：旺宏是一家半导体商，所以要展示新型非挥发记忆体 : : 问题： : : 非挥发性记忆体(Non-volatile memory)是指即使电源供应中断，记忆体所储存的资料 : : 并不会消失，重新供电後，就能够读取内存资料的记忆体 : : 1.快闪随身碟就是此类型，想问的是一般桌机用的DDR-RAM : : 是(volatile)类的，不是(Non-volatile)没错吧?-- : : 2.目前non-volatile多用於MP3随身听，FLASH记忆体等随身携带之产品是吗? : 很多东西都会用到NVM : 当然你说的那些也是 : : 5.邱雅萍助理教授 (国立中山大学/物理系) : : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) 直接观察磊晶Gd2O3(氧化钆)长在GaAs(砷化镓)上之介面结构 : : by STM : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻为：用STM直接研究Gd2O3(氧化钆)附在GaAs(砷化镓?)上之介面结构 : : 问题： : : 1.STM是指扫描穿遂电子显微镜(scanning tunneling microscope) : : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? : 100应该指的是磊晶型态 : 更明确的说就是平行yz-plane作切片（我应该没记错～～～吧？） : : 3.这可能是材料的问题，物理系也有做这一类研究的主要研究导向是? : 物理系、材料系、化学系、化工系、电机系、电子系都有机会作这类研究 : : 6.黄懋霖博士 (国立清华大学/材料科学工程学系) : : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation 使用原子层沉积技术在InGaAs(铟镓砷?)上制造高界电系数材料：用於表面披覆 : : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : : 翻为：原子层沉积(磊晶)於高相对介电系数之InGaAs(铟镓砷?)上做为保护层 : : OR : : 在InGaAs上沉积高介电材料原子层以做保护层(表面钝化) : : 问题： : : 1.InGaAs是指元素还是这是一个专有名词? : 指的是由这三种元素组成的特殊材料 : : 2.high k也是高介电材料的意思? : Yes -- 我只给你我的翻译 单PO英文上来问意思 我可以帮忙解释 单波英文上来问翻译 我也尽量帮忙 不过要我解释为什麽这样翻的话 要收钱的:p -- --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 74.242.226.123 ※ 编辑: pow 来自: 74.242.226.123 (09/13 19:39)