作者deathcustom ()
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標題Re: [問題] 請問MOS的SIZE
時間Sat Sep 12 14:37:49 2009
1F：推 wwwok:推 感謝大大的解說 對我幫助很大^^ 09/12 00:04
2F：推 bb7:想問一下如果是.35um呢?..vdsat理想範圍大概落在哪邊? 09/12 09:20
3F：→ Lary:這你要去看一下TSMC的參數 最小大概是Vds-Vth>100~150 mV 09/12 11:55
4F：→ Lary:這樣確保device在strong inversion 最大可能要看TSMC Vgs-Vth 09/12 11:56
5F：→ Lary:多大時電子會接近saturation velocity 09/12 11:56
6F：推 yingda1004:請問在不同的製程如何辨別Vod要多少才是strong invers? 09/12 12:07
7F：→ yingda1004:和Vod大於多少才會飽和??是要自己再去跑單顆的特性圖嗎 09/12 12:08
8F：→ yingda1004:還是製程文件中會有?可以請問一下嗎??感謝! 09/12 12:09
9F：→ yingda1004:再請問一下.若非在Strong或速度已經飽和會有什麼影響? 09/12 12:10
Weak Inversion
或者sub-threashold的操作區間，I-V跟Square Rule差很多
更接近Exponential Rule
至於Velosity Saturation
簡單的說就是載子移動速度到極限（接近光速，1%光速以上就算了）
通常是出現在short-channel device上，也就是低於0.25um都很可能會遇到
簡單的討論在Razavi跟Rabaey都有
詳細的請自己去找PAPER看
最簡單就是I-gm-Vgs-Vds的關係也哏以前學的差異很大
U_0不再是一個大致固定的值
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◢ υ◣ 老伴啊，我們的孩子孵不出來耶… 、〝◢ ◣ 嗚…我沒問題啊！
◢◣◢˙ ◣ 你到底吃了什麼？ ((◢ ﹊﹊﹊ ◥╯ 是台灣的問題…
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◆ From: 122.116.95.114
10F：推 yingda1004:恩!感謝D大!所以Vod要多少才算進入strong呢? 09/12 15:27
11F：→ yingda1004:多少速度會飽合?學校是有教公式.但那是以前的製程. 09/12 15:29
12F：→ yingda1004:但當拿到一個不同的製程又該如何得知呢?我沒有在文件檔 09/12 15:29
13F：→ yingda1004:中發現!先感謝解答! 09/12 15:30
14F：推 pdaer:飽和不是到.35製程就會發生嗎?@@ 09/12 15:59
15F：→ deathcustom:0.35um......還是不太容易看到這樣的狀況～0.18, 0.13 09/12 16:02
16F：→ deathcustom:倒是滿有機會看到 09/12 16:02
17F：推 yingda1004:請問要怎麼知道飽合了?感謝! 09/12 16:14
18F：→ deathcustom:基本上就是去作成大郭岱豪那一套Curve Fitting 09/12 16:33
19F：推 yingda1004:恩..感謝D大...所以換製程就要重跑單顆= = 09/12 16:45
20F：推 pdaer:我有疑問的是郭泰豪那套曲線擬合基本上也是用alpha-power來 09/12 19:26
21F：→ pdaer:那個alpha-power law對.18以下製程的精確度有沒有人知道? 09/12 19:26
22F：推 solowang:樓上我模擬過TSMC 90nm製程，vds大約在vdd/2附近都還算準 09/13 10:40
23F：→ solowang:太大的vds or 剛要進入飽和區附近電流誤差較大。 09/13 10:44
24F：→ deathcustom:vdd/2......其實算是很大的vds 09/13 15:26
25F：推 pdaer:想不到還蠻好用的，晚點多模擬幾個size起來放XD 09/13 15:40