作者deathcustom ()
看板Electronics
标题Re: [问题] 请问MOS的SIZE
时间Sat Sep 12 14:37:49 2009
1F：推 wwwok:推 感谢大大的解说 对我帮助很大^^ 09/12 00:04
2F：推 bb7:想问一下如果是.35um呢?..vdsat理想范围大概落在哪边? 09/12 09:20
3F：→ Lary:这你要去看一下TSMC的参数 最小大概是Vds-Vth>100~150 mV 09/12 11:55
4F：→ Lary:这样确保device在strong inversion 最大可能要看TSMC Vgs-Vth 09/12 11:56
5F：→ Lary:多大时电子会接近saturation velocity 09/12 11:56
6F：推 yingda1004:请问在不同的制程如何辨别Vod要多少才是strong invers? 09/12 12:07
7F：→ yingda1004:和Vod大於多少才会饱和??是要自己再去跑单颗的特性图吗 09/12 12:08
8F：→ yingda1004:还是制程文件中会有?可以请问一下吗??感谢! 09/12 12:09
9F：→ yingda1004:再请问一下.若非在Strong或速度已经饱和会有什麽影响? 09/12 12:10
Weak Inversion
或者sub-threashold的操作区间，I-V跟Square Rule差很多
更接近Exponential Rule
至於Velosity Saturation
简单的说就是载子移动速度到极限（接近光速，1%光速以上就算了）
通常是出现在short-channel device上，也就是低於0.25um都很可能会遇到
简单的讨论在Razavi跟Rabaey都有
详细的请自己去找PAPER看
最简单就是I-gm-Vgs-Vds的关系也哏以前学的差异很大
U_0不再是一个大致固定的值
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◢ υ◣ 老伴啊，我们的孩子孵不出来耶… 、〝◢ ◣ 呜…我没问题啊！
◢◣◢˙ ◣ 你到底吃了什麽？ ((◢ ﹊﹊﹊ ◥╯ 是台湾的问题…
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◆ From: 122.116.95.114
10F：推 yingda1004:恩!感谢D大!所以Vod要多少才算进入strong呢? 09/12 15:27
11F：→ yingda1004:多少速度会饱合?学校是有教公式.但那是以前的制程. 09/12 15:29
12F：→ yingda1004:但当拿到一个不同的制程又该如何得知呢?我没有在文件档 09/12 15:29
13F：→ yingda1004:中发现!先感谢解答! 09/12 15:30
14F：推 pdaer:饱和不是到.35制程就会发生吗?@@ 09/12 15:59
15F：→ deathcustom:0.35um......还是不太容易看到这样的状况～0.18, 0.13 09/12 16:02
16F：→ deathcustom:倒是满有机会看到 09/12 16:02
17F：推 yingda1004:请问要怎麽知道饱合了?感谢! 09/12 16:14
18F：→ deathcustom:基本上就是去作成大郭岱豪那一套Curve Fitting 09/12 16:33
19F：推 yingda1004:恩..感谢D大...所以换制程就要重跑单颗= = 09/12 16:45
20F：推 pdaer:我有疑问的是郭泰豪那套曲线拟合基本上也是用alpha-power来 09/12 19:26
21F：→ pdaer:那个alpha-power law对.18以下制程的精确度有没有人知道? 09/12 19:26
22F：推 solowang:楼上我模拟过TSMC 90nm制程，vds大约在vdd/2附近都还算准 09/13 10:40
23F：→ solowang:太大的vds or 刚要进入饱和区附近电流误差较大。 09/13 10:44
24F：→ deathcustom:vdd/2......其实算是很大的vds 09/13 15:26
25F：推 pdaer:想不到还蛮好用的，晚点多模拟几个size起来放XD 09/13 15:40