※ 引述《pdaer (NONE)》之銘言： : 在這篇剛好爬到這個gm/Id法， : 最近看一些paper都有提到，我也去國外的論壇類似 : ptt這種電子電機專版爬了文，發現這是一個國外大學 : 很popular的op設計法則，在berkley的ee240的AIC課程上 : 就是以此法作為設計標準方法， : 於是我又找到一些線索，有個名字叫Jespers的， : 發了好幾篇paper在講這個東西，也打算出一本書專講這個方法， : amazon可以pre-order： : http://ppt.cc/8SPP : 我把他的powepoint丟上來給大家參考： : http://rapidshare.com/files/266790018/CMOS_Op.Amps.rar.html : http://www.megaupload.com/?d=9F2S3UYC : 以上二選一下載即可， : 直接看part III裡面有gm/id concepts introduction. : 這部分是比較沒版權爭議的東西（原作自己放出來的，非營利） : 希望電子電機版神人眾多可以在基本的op設計方法上激出一些討論 : ※ 引述《jnlien (*大胖幾*)》之銘言： : : 在submicron以後的製程中會有short channel effect， : : 像是velocity saturation等等(可參考Razavi的AIC)， : : 因此unCox或是upCox其實不是一個常數(在不同偏壓條件下會有變化)。 : : 一般的作法是針對各種狀況去跑simulation， : : 然後做curve fitting找到最佳的unCox或upCox值， : : 這樣做出來的設計第一次跑模擬 當然會有些不準(跟預期值差10%~30%)， : : 但是通常足以讓電路中重要的電晶體都進入saturation region， : : 一旦進入saturation region後就比較容易藉由調整size來達到想要的值， : : 因此知道如何調整size來達到想要的偏壓、gm、電流等等是很重要的， : : 這就是經驗的可貴了~ : : 如果真的覺得這樣設計電路很沒成就感(做出來都跟算出來的差很多)， : : 可以去找一種叫做gm/Id Method的查表法， : : 算出來的size直接跑模擬 誤差跟預期值通常不會超過10%， : : 舉例來說， : : 這樣的方法在Op amp的設計上是很實用的。 我正在研究這個gm/Id................. 還有個很類似的東西叫做Inversion Coefficient........... 這兩個東西都很有用.. 但是最好是EKV Model 如果你是要做常溫,通常不須要用到gm/Id 或是 Inversion Coefficient 但是要做高溫, gm/Id , Inversion Coefficient就很Powerful --

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