※ 引述《bbyan (BBYAN)》之銘言： : ※ 引述《Shiva (Shiva)》之銘言： : : http://www.badongo.com/pic/6356286?size=original : : 最近看到這個電路.. : : 請問M2與M3(左上角那兩顆)為什麼不要只用一個MOS就好呢？ : : 使用兩顆MOS有什麼特別的用意？ : M2、M3是High swing current mirror的偏壓方式 : 這個電路應該不太完整，照理來說M4應該也要Cascode : 才有增加輸出阻抗而且提高輸出擺幅的效果 : : M4(右上角)的Ickt的方向是不是標反了？ : 跟M1 source的Ickt↑比起來如果是交流訊號，應該是標反了 : 不過M1 source的"Ickt↑"感覺是"輸入訊號"的意思 : : 還有一點很疑惑就是.. : : 電路左半邊，Ickt往上流而非往下，代表M1(左下角)、M2與M3之source和drain應互換吧 : 正常來說電路這樣接，直流電流不太可能往上流.... : : 但是互換了之後，從M1往上看的電阻就不是小電阻1/gm1了 : : 反而應該是從drain端看到的大電阻才對了吧？ : 就我的觀點看起來，這是應該是一個電流放大器，Iout/Iin : 輸入訊號在M1的source用途應該是common gate放大器 : 同時也是current follower，有小的輸入電阻(M1 source)，大的輸出電阻(M1 drain) : 輸入電流跟輸出電流完全相同，Id=Iout=Iin=Is : 然後再經過上方的電流鏡把電流複製(或者放大)到另一端，不過這是以電流的形式去看的 : 用電壓解釋其實也是可以M1是I->V的CG放大器，M2M3是主動負載 : M4就是common source放大器V->I的放大率就是gm4，V->V的放大率不明，因為沒有負載 : M2M3在這裡可能不是多大的負載是因為它接MOS的gate本身就是無窮大的電阻了 : 這個觀點是以電壓放大的形式來看的，如果是使用電流形式的話其實就只是電流鏡而已 : Ids1 -> Ids2 (mirror) Ids4 電流放大 : Ids1 -> Ids2 -> vg3 -> Ids4 電壓角度來看 : 電流鏡只是省略掉中間那個步驟而已，剛弄完期末有空就打打 : 回覆的應該不是很謹慎，有錯請幫我指正一下，謝了~ 我覺得此電路只是單純要將電流源由NMOS current mirror 轉為PMOS current mirror M1的電流方向應該是標錯 M2 & M3 接為wide swing current mirror是不希望M3&M4的length值太大 因為一般VDD約3.3V, 只用一顆M3接成Diode形式的Current Mirror,通常 MOS length會設計很大,且較容易受VDD的變化影響電流 --

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