※ 引述《bbyan (BBYAN)》之铭言： : ※ 引述《Shiva (Shiva)》之铭言： : : http://www.badongo.com/pic/6356286?size=original : : 最近看到这个电路.. : : 请问M2与M3(左上角那两颗)为什麽不要只用一个MOS就好呢？ : : 使用两颗MOS有什麽特别的用意？ : M2、M3是High swing current mirror的偏压方式 : 这个电路应该不太完整，照理来说M4应该也要Cascode : 才有增加输出阻抗而且提高输出摆幅的效果 : : M4(右上角)的Ickt的方向是不是标反了？ : 跟M1 source的Ickt↑比起来如果是交流讯号，应该是标反了 : 不过M1 source的"Ickt↑"感觉是"输入讯号"的意思 : : 还有一点很疑惑就是.. : : 电路左半边，Ickt往上流而非往下，代表M1(左下角)、M2与M3之source和drain应互换吧 : 正常来说电路这样接，直流电流不太可能往上流.... : : 但是互换了之後，从M1往上看的电阻就不是小电阻1/gm1了 : : 反而应该是从drain端看到的大电阻才对了吧？ : 就我的观点看起来，这是应该是一个电流放大器，Iout/Iin : 输入讯号在M1的source用途应该是common gate放大器 : 同时也是current follower，有小的输入电阻(M1 source)，大的输出电阻(M1 drain) : 输入电流跟输出电流完全相同，Id=Iout=Iin=Is : 然後再经过上方的电流镜把电流复制(或者放大)到另一端，不过这是以电流的形式去看的 : 用电压解释其实也是可以M1是I->V的CG放大器，M2M3是主动负载 : M4就是common source放大器V->I的放大率就是gm4，V->V的放大率不明，因为没有负载 : M2M3在这里可能不是多大的负载是因为它接MOS的gate本身就是无穷大的电阻了 : 这个观点是以电压放大的形式来看的，如果是使用电流形式的话其实就只是电流镜而已 : Ids1 -> Ids2 (mirror) Ids4 电流放大 : Ids1 -> Ids2 -> vg3 -> Ids4 电压角度来看 : 电流镜只是省略掉中间那个步骤而已，刚弄完期末有空就打打 : 回覆的应该不是很谨慎，有错请帮我指正一下，谢了~ 我觉得此电路只是单纯要将电流源由NMOS current mirror 转为PMOS current mirror M1的电流方向应该是标错 M2 & M3 接为wide swing current mirror是不希望M3&M4的length值太大 因为一般VDD约3.3V, 只用一颗M3接成Diode形式的Current Mirror,通常 MOS length会设计很大,且较容易受VDD的变化影响电流 --

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