作者sujj (老人)
看板Electronics
標題[問題] 電子學一問
時間Wed Dec 24 20:51:17 2008
當MOSFET操作在飽和區時，其Id與VGS關係為何?
(C)Id正比於(VGS-Vt)(D)Id正比於(VGS-Vt)的平方
答案是C
工作於飽和區的電流Id公式不是=1/2Kn(W/L){(VGS-Vt)平方}嗎
為什麼答案是C呢?還是我觀念不清楚啊???
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◆ From: 220.131.48.245
1F：推 ericabab:有沒有考慮答案錯了? 12/24 21:25
2F：→ sujj:我也絕得答案錯了...這是今年地特五等的考題... 12/24 21:38
3F：推 ericson168:short channel?? 12/24 21:45
4F：推 homebox:如果是gm的話跟就是正比(Vgs-Vt) 12/25 11:16
5F：→ sujj:重點他問的是Id啊 12/25 13:06
6F：推 zsxa1234:題目模糊= = 已經早就不是平方項了... 12/30 21:00