作者sujj (老人)
看板Electronics
标题[问题] 电子学一问
时间Wed Dec 24 20:51:17 2008
当MOSFET操作在饱和区时，其Id与VGS关系为何?
(C)Id正比於(VGS-Vt)(D)Id正比於(VGS-Vt)的平方
答案是C
工作於饱和区的电流Id公式不是=1/2Kn(W/L){(VGS-Vt)平方}吗
为什麽答案是C呢?还是我观念不清楚啊???
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◆ From: 220.131.48.245
1F：推 ericabab:有没有考虑答案错了? 12/24 21:25
2F：→ sujj:我也绝得答案错了...这是今年地特五等的考题... 12/24 21:38
3F：推 ericson168:short channel?? 12/24 21:45
4F：推 homebox:如果是gm的话跟就是正比(Vgs-Vt) 12/25 11:16
5F：→ sujj:重点他问的是Id啊 12/25 13:06
6F：推 zsxa1234:题目模糊= = 已经早就不是平方项了... 12/30 21:00