作者emi39en (Galaxy)
看板Electronics
標題[問題] MOSFET 的一些問題
時間Tue Dec 2 18:34:34 2008
最近學MOS有些東西想要請教你們
1.為什麼最好用的偏壓結構是用電流下去做
2.有個公式 Vt = Vt0 + γ + [(2φf + VBS) ^1/2 - (2φf)^1/2]
請問這個公式是什麼意思 謝謝!!
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◆ From: 61.227.242.31
1F：推 sovereignty:2. body effect (Vt will increase when VBS =/= 0)_ 12/03 09:34
2F：→ sovereignty:γ 後面不是 + 是 x 12/03 09:35
3F：推 mlovet:問題1看不大懂也 你是指什麼意思呀? 電流源..? 12/03 21:23
4F：→ pow:1.是因為電流比較不受干擾 電壓會有很多雜訊 12/03 22:10
5F：→ pow:所以才會有current mirror這種東西 12/03 22:11
6F：→ pow:2.看你是從那個角度 電路設計來看的話 12/03 22:11
7F：→ pow:可以看出來Vbs也可以影響Vt 進而影響Ids 12/03 22:12
8F：→ pow:所以可以產生一個模型給MOSFET 裡面不只有一般的gm(Vgs) 12/03 22:13
9F：→ pow:還可以有另一個gm(Vsb) 換句話說 Bulk可以看成另一個gate 12/03 22:13
10F：→ pow:有人省電的方法 就是配合SOI 及時調整Vb 進而增加/減少Vt 12/03 22:14
11F：推 sovereignty:樓上說的就是 DTMOS (Dynamic Threshold MOS) 12/05 17:35