作者emi39en (Galaxy)
看板Electronics
标题[问题] MOSFET 的一些问题
时间Tue Dec 2 18:34:34 2008
最近学MOS有些东西想要请教你们
1.为什麽最好用的偏压结构是用电流下去做
2.有个公式 Vt = Vt0 + γ + [(2φf + VBS) ^1/2 - (2φf)^1/2]
请问这个公式是什麽意思 谢谢!!
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◆ From: 61.227.242.31
1F：推 sovereignty:2. body effect (Vt will increase when VBS =/= 0)_ 12/03 09:34
2F：→ sovereignty:γ 後面不是 + 是 x 12/03 09:35
3F：推 mlovet:问题1看不大懂也 你是指什麽意思呀? 电流源..? 12/03 21:23
4F：→ pow:1.是因为电流比较不受干扰 电压会有很多杂讯 12/03 22:10
5F：→ pow:所以才会有current mirror这种东西 12/03 22:11
6F：→ pow:2.看你是从那个角度 电路设计来看的话 12/03 22:11
7F：→ pow:可以看出来Vbs也可以影响Vt 进而影响Ids 12/03 22:12
8F：→ pow:所以可以产生一个模型给MOSFET 里面不只有一般的gm(Vgs) 12/03 22:13
9F：→ pow:还可以有另一个gm(Vsb) 换句话说 Bulk可以看成另一个gate 12/03 22:13
10F：→ pow:有人省电的方法 就是配合SOI 及时调整Vb 进而增加/减少Vt 12/03 22:14
11F：推 sovereignty:楼上说的就是 DTMOS (Dynamic Threshold MOS) 12/05 17:35