作者jimandy (睡)
看板Electronics
標題[問題] pmos
時間Sun Nov 23 18:36:47 2008
我想請教大家一個問題~
如果pmos的源極(S)接1.2v,基底(B)接0.6v
S與B之間呈順向偏,使通道厚度變大了,所以Vth下降
如果依照body effect公式,Vsb上升,Vth也跟著上升
這樣會不會有矛盾呢?
在pmos的情況,是不是要Vbs＞0才能符合body effect的公式呢?
感謝指教
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◆ From: 125.232.140.67
1F：→ aeiou:通道厚度變大,Vth是增加吧? 11/23 18:47
2F：推 kafai:要小心不要變成p-n junction 11/23 20:34
3F：推 mepass:sb是怎樣都不能通的 11/23 20:55
4F：→ mepass:body effect是指逆偏使空乏區增加的效應 11/23 20:56
5F：→ mepass:sb如果導通 那Is=Id豈不就沒搞頭了 11/23 20:57
6F：推 pdaer:可以參考林昀的書，裡面講很詳細 11/23 21:33
7F：→ jimandy:那請問PMOS的Vsb是不是一定要＜0 11/23 22:15