作者jimandy (睡)
看板Electronics
标题[问题] pmos
时间Sun Nov 23 18:36:47 2008
我想请教大家一个问题~
如果pmos的源极(S)接1.2v,基底(B)接0.6v
S与B之间呈顺向偏,使通道厚度变大了,所以Vth下降
如果依照body effect公式,Vsb上升,Vth也跟着上升
这样会不会有矛盾呢?
在pmos的情况,是不是要Vbs＞0才能符合body effect的公式呢?
感谢指教
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◆ From: 125.232.140.67
1F：→ aeiou:通道厚度变大,Vth是增加吧? 11/23 18:47
2F：推 kafai:要小心不要变成p-n junction 11/23 20:34
3F：推 mepass:sb是怎样都不能通的 11/23 20:55
4F：→ mepass:body effect是指逆偏使空乏区增加的效应 11/23 20:56
5F：→ mepass:sb如果导通 那Is=Id岂不就没搞头了 11/23 20:57
6F：推 pdaer:可以参考林昀的书，里面讲很详细 11/23 21:33
7F：→ jimandy:那请问PMOS的Vsb是不是一定要＜0 11/23 22:15