作者Ice98 (又寂寞又美好)
看板Electronics
標題[轉錄][問題] MOS+BJT
時間Fri Nov 7 20:50:12 2008
※ [本文轉錄自 NEMS 看板]
作者: koutateyoshi (J) 看板: NEMS
標題: [問題] MOS+BJT
時間: Fri Nov 7 18:58:17 2008
各位板大您們好：
因為我在論文上見到一種設計方式叫做MOS操作在旁路BJT的模式，簡單的說就是把MOS
跟BJT做在一起，是由Eric A. Vittoz這位學者所發表的，他在做低功率放大器裡面應該
是個大咖，這樣的設計法對於降低1/f有怎樣的優點呢?? 此外在一些文獻上所標的符號
如下圖：
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Vcascp ---|| Mc2
||
-->
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中的Vcascp適合意，指的是NMOS串接NPN嗎??也就是上述的設計法??
請解惑~~ 感激不盡!!
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◆ From: 140.112.231.219
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1F：→ rickhsu:天生就有寄生的bjt..你做個電路就可以讀出來... 11/07 21:31
2F：→ rickhsu:只是對於寄生的..沒有好的模型可以拿來跑類比模擬... 11/07 21:32
3F：推 paullai:對這個問題好奇,想跟樓上請教一下.如果是元件領域的模擬 11/07 21:37
4F：→ paullai:能不能模擬出來這個寄生BJT呢? 11/07 21:38
5F：→ paullai:(指的是一些半導體方面的模擬) 11/07 21:38
6F：推 rickhsu:我是知道他們也有模擬的軟體,但是都是用製程參數相關... 11/07 21:44
7F：→ rickhsu:對於電路設計者.要瞭解到用多少濃度打多強...缺乏那個環境 11/07 21:45
8F：→ rickhsu:以前下過類似的test..也下過guard ring的..可以明顯看到 11/07 21:48
9F：→ koutateyoshi:那想請問cic的製程現今的0.35um或0.18um做這個會穩嗎 11/08 15:34
10F：→ rickhsu:重點是隨意畫沒有model可用.大小尺寸要自己做model大工程 11/08 22:28
11F：→ rickhsu:製程穩不穩另外一回事那看cic用的是哪家..可以推論一下 11/08 22:29