作者Ice98 (又寂寞又美好)
看板Electronics
标题[转录][问题] MOS+BJT
时间Fri Nov 7 20:50:12 2008
※ [本文转录自 NEMS 看板]
作者: koutateyoshi (J) 看板: NEMS
标题: [问题] MOS+BJT
时间: Fri Nov 7 18:58:17 2008
各位板大您们好：
因为我在论文上见到一种设计方式叫做MOS操作在旁路BJT的模式，简单的说就是把MOS
跟BJT做在一起，是由Eric A. Vittoz这位学者所发表的，他在做低功率放大器里面应该
是个大咖，这样的设计法对於降低1/f有怎样的优点呢?? 此外在一些文献上所标的符号
如下图：
|
|
---
||
Vcascp ---|| Mc2
||
-->
|
|
中的Vcascp适合意，指的是NMOS串接NPN吗??也就是上述的设计法??
请解惑~~ 感激不尽!!
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.231.219
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.14.214
1F：→ rickhsu:天生就有寄生的bjt..你做个电路就可以读出来... 11/07 21:31
2F：→ rickhsu:只是对於寄生的..没有好的模型可以拿来跑类比模拟... 11/07 21:32
3F：推 paullai:对这个问题好奇,想跟楼上请教一下.如果是元件领域的模拟 11/07 21:37
4F：→ paullai:能不能模拟出来这个寄生BJT呢? 11/07 21:38
5F：→ paullai:(指的是一些半导体方面的模拟) 11/07 21:38
6F：推 rickhsu:我是知道他们也有模拟的软体,但是都是用制程参数相关... 11/07 21:44
7F：→ rickhsu:对於电路设计者.要了解到用多少浓度打多强...缺乏那个环境 11/07 21:45
8F：→ rickhsu:以前下过类似的test..也下过guard ring的..可以明显看到 11/07 21:48
9F：→ koutateyoshi:那想请问cic的制程现今的0.35um或0.18um做这个会稳吗 11/08 15:34
10F：→ rickhsu:重点是随意画没有model可用.大小尺寸要自己做model大工程 11/08 22:28
11F：→ rickhsu:制程稳不稳另外一回事那看cic用的是哪家..可以推论一下 11/08 22:29