※ 引述《yjlee (阿仁仔)》之銘言： : 請問各位大大有關費米能階的問題 : 為何半導體的費米能階 在導帶與價帶的中間?? : 為何不是剛好在價帶的最高點?? : 這跟其升溫時的機率有關嗎?? : 因為升溫後的費米函數回推 所以得到費米能階在導價帶中間嗎?? : 感恩 ^ ^ 你可以參考 "Solid State Electrinic Device"這本書的第80頁，它有說明。 在此，我摘錄給你。 For instrinsic material we know that the concentration of holes in the valence band is equal to the concentration of electrons in the conduction band. Therefore, the Fermi level ( Ef )must lie at the middle of the band gap in instrinsic material. (Actually the instrinsic Ef is displaced slightly from the middle of the gap, since the densities of available states in the valence and conduction bands are not euqal.) 簡而言之就是，在本質半導體中，在價帶中的電洞濃度 = 導帶中的電子濃度 所以費米能階會在中間。 至於你說的溫度變化，嗯，它是會造成費米能接變動，但這是結果，並非主因。 -- 大學要先買電腦還是機車? 有了電腦-->沉迷與網路跟電動中-->成績爛-->變宅男-->把不到妹-->大學的回憶就是 魔獸很好玩 沒電腦但是有車子-->沒電動好打-->每天上課成績一流-->下了課到處聯誼跑社團--> 把到一堆正妹-->當你同學在連魔獸的時候-->你正在跟正妹玩四腳獸遊戲--> 大學畢業後，這四年將成為你後宮史最輝煌的一頁! --

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