作者jfsu (水精灵)
看板Electronics
标题Re: 费米能阶??
时间Tue Sep 16 18:55:27 2008
※ 引述《yjlee (阿仁仔)》之铭言:
: 请问各位大大有关费米能阶的问题
: 为何半导体的费米能阶 在导带与价带的中间??
: 为何不是刚好在价带的最高点??
: 这跟其升温时的机率有关吗??
: 因为升温後的费米函数回推 所以得到费米能阶在导价带中间吗??
: 感恩 ^ ^
你可以参考 "Solid State Electrinic Device"这本书的第80页,它有说明。
在此,我摘录给你。
For instrinsic material we know that the concentration of holes in the
valence band is equal to the concentration of electrons in the conduction band.
Therefore, the Fermi level ( Ef )must lie at the middle of the band gap in
instrinsic material.
(Actually the instrinsic Ef is displaced slightly from the middle of the gap,
since the densities of available states in the valence and conduction bands
are not euqal.)
简而言之就是,在本质半导体中,在价带中的电洞浓度 = 导带中的电子浓度
所以费米能阶会在中间。
至於你说的温度变化,嗯,它是会造成费米能接变动,但这是结果,并非主因。
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◆ From: 203.66.222.12
1F:推 profyang:不会在中间吧...差一点... 09/18 09:40