作者Maybetrue (無限大的寂寞)
看板Electronics
標題[問題] WiKi上面對Flash Memory的解釋
時間Sun Jul 13 20:11:30 2008
解釋頁：
http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E9%97%AA%E5%AD%98&variant=zh-tw
令我不了解的是：
頁面上說Floating Gate被氧化層包圍而絕緣，但是又會抓住任何在Floating Gate
上停留的電子，並且在一般的狀態下可以經過好幾年。
既絕緣又會有電子跑進去？這是不是有什麼沒有敘述完呀？到底電子是怎麼跑進去
的呢？還請強者大大代為說明一下，感謝。
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抱歉，我好像看到段落後面說明了。如果 I_DS 夠大的話，會有「熱電子」跑到
Floating-Gate 。
不曉得我有沒有看錯... 。不過，那個熱電子還真強阿，到處跑的。
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很強大!!很好很強大!!
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大!!很
好很強大!!
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強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好很強大!!很好
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◆ From: 220.139.48.68
※ 編輯: Maybetrue 來自: 220.139.48.68 (07/13 20:35)
1F：→ Dirac:嗯，还有所谓的tunelling，总之只要给足够能量穿越barrier 07/13 21:17
2F：推 ykjiang:這是個物理問題，跟量子力學有關... 07/13 22:12
3F：推 xzcvb:F-N tunneling 與channel hot e, 是常用的program方法. 07/13 22:29
4F：→ xzcvb:即使是絕緣體, 還是有一定的機率穿透. 07/13 22:30
5F：→ xzcvb:Erase的方法, 則是F-N tunneling為主. 以前EPROM有用照UV. 07/13 22:31
6F：→ xzcvb:照UV erase. 現在不太使用了, 因為特殊package 太貴. 07/13 22:33