作者Maybetrue (无限大的寂寞)
看板Electronics
标题[问题] WiKi上面对Flash Memory的解释
时间Sun Jul 13 20:11:30 2008
解释页：
http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=%E9%97%AA%E5%AD%98&variant=zh-tw
令我不了解的是：
页面上说Floating Gate被氧化层包围而绝缘，但是又会抓住任何在Floating Gate
上停留的电子，并且在一般的状态下可以经过好几年。
既绝缘又会有电子跑进去？这是不是有什麽没有叙述完呀？到底电子是怎麽跑进去
的呢？还请强者大大代为说明一下，感谢。
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抱歉，我好像看到段落後面说明了。如果 I_DS 够大的话，会有「热电子」跑到
Floating-Gate 。
不晓得我有没有看错... 。不过，那个热电子还真强阿，到处跑的。
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◆ From: 220.139.48.68
※ 编辑: Maybetrue 来自: 220.139.48.68 (07/13 20:35)
1F：→ Dirac:嗯，还有所谓的tunelling，总之只要给足够能量穿越barrier 07/13 21:17
2F：推 ykjiang:这是个物理问题，跟量子力学有关... 07/13 22:12
3F：推 xzcvb:F-N tunneling 与channel hot e, 是常用的program方法. 07/13 22:29
4F：→ xzcvb:即使是绝缘体, 还是有一定的机率穿透. 07/13 22:30
5F：→ xzcvb:Erase的方法, 则是F-N tunneling为主. 以前EPROM有用照UV. 07/13 22:31
6F：→ xzcvb:照UV erase. 现在不太使用了, 因为特殊package 太贵. 07/13 22:33