作者Rappy ()
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標題[問題]MOSFET中technology node 與physical gate length的差異
時間Mon Jan 14 13:32:09 2008
被這問題困擾了很久了
而且當physical gate length較大時 兩者幾乎相同
但是當scale到90~100 nm後即出現明顯差異
所以想請問看看兩者差異
謝謝~
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◆ From: 140.96.154.28
1F：→ pow:就是名字而已 BMW 335i也不是用3.5的引擎阿 01/14 22:52
2F：→ pow:MB的CL63也不是6.3的引擎阿 01/14 22:52
3F：推 zeyuan:實際上是這樣子.一般在工廠tech node多指的是光罩最小線寬 01/19 16:22
4F：→ zeyuan:但實際上做出來是可以用特殊的技術做出比光罩更小的元件 01/19 16:23
5F：→ zeyuan:然而早期這項技術很多公司都還沒辦法控制的很好.也就是說 01/19 16:24
6F：→ zeyuan:早在大約199X那個年代.人們已經開使用這種技術.只是沒辦法 01/19 16:25
7F：→ zeyuan:控制得很精準.所以不敢縮太多.但你可以觀察大約在2000年 01/19 16:26
8F：→ zeyuan:之後tech node的長度跟實際物理長度開始大幅度拉開.甚至 01/19 16:27
9F：→ zeyuan:到了大約90nm製程大約可以65nm的元件甚至更小.這也是因為 01/19 16:28
10F：→ zeyuan:大家對於這項技術已經比較成熟.可以精準掌控.到目前為止 01/19 16:29
11F：→ zeyuan:據我所知intel跟台灣的T公司.這項技術可以控制到大約光罩 01/19 16:29
12F：→ zeyuan:60％甚至50％都不是問題.也就是說用90光罩大約可以做到50nm 01/19 16:30
13F：→ zeyuan:通道長度的元件都還可以控制得很好.. 01/19 16:32