作者Rappy ()
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标题[问题]MOSFET中technology node 与physical gate length的差异
时间Mon Jan 14 13:32:09 2008
被这问题困扰了很久了
而且当physical gate length较大时 两者几乎相同
但是当scale到90~100 nm後即出现明显差异
所以想请问看看两者差异
谢谢~
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.96.154.28
1F：→ pow:就是名字而已 BMW 335i也不是用3.5的引擎阿 01/14 22:52
2F：→ pow:MB的CL63也不是6.3的引擎阿 01/14 22:52
3F：推 zeyuan:实际上是这样子.一般在工厂tech node多指的是光罩最小线宽 01/19 16:22
4F：→ zeyuan:但实际上做出来是可以用特殊的技术做出比光罩更小的元件 01/19 16:23
5F：→ zeyuan:然而早期这项技术很多公司都还没办法控制的很好.也就是说 01/19 16:24
6F：→ zeyuan:早在大约199X那个年代.人们已经开使用这种技术.只是没办法 01/19 16:25
7F：→ zeyuan:控制得很精准.所以不敢缩太多.但你可以观察大约在2000年 01/19 16:26
8F：→ zeyuan:之後tech node的长度跟实际物理长度开始大幅度拉开.甚至 01/19 16:27
9F：→ zeyuan:到了大约90nm制程大约可以65nm的元件甚至更小.这也是因为 01/19 16:28
10F：→ zeyuan:大家对於这项技术已经比较成熟.可以精准掌控.到目前为止 01/19 16:29
11F：→ zeyuan:据我所知intel跟台湾的T公司.这项技术可以控制到大约光罩 01/19 16:29
12F：→ zeyuan:60％甚至50％都不是问题.也就是说用90光罩大约可以做到50nm 01/19 16:30
13F：→ zeyuan:通道长度的元件都还可以控制得很好.. 01/19 16:32