小弟不才　 想請問各位先進一些有關於記憶體（SONOS）寫入與抹除方面的問題 近期來　我在做有關於SONOS方面的ISE TCAD模擬 而在id-vg的模擬這方面我一直模擬不出我要的結果 我想可能的原因可能在於偏壓（？） 我查了很多篇paper　關於寫入與抹除的方式 大概就是分為：熱電子注入和F-N穿遂　這兩種形式 =====================以下就是不確定、我有疑惑的，有錯請鞭==================== 對於F-N穿遂　我看到的paper是在閘極加大電壓（約１０來伏） 而source和drain都是接地　寫入和抹除只差在閘極是正或是負 然而，我用ISE TCAD模擬不出任何結果 我也不曉得是什麼問題 (囧，我是用gate=正十伏，source & drain=接地） 還是我根本就搞錯他的偏壓方式？有人知道正確的偏壓方式嗎？ 可以給我一個大概的電壓範圍嗎？（如gate=?V drain=?V etc) 對於熱電子注入　我看到的paper都是gate和drain作偏壓 而大多數都是施予gate一個大電壓（通常有個範圍） drain的話　就是一個約一到三伏特之間的定電壓 而寫入和讀取　也都是只差在閘極是正還是負而已（？） 然而，我在模擬寫入的時候，給的數據是Vg=０到１０　Vd=３ （教授給了我一個疑惑，Vg是０到１０還是１０到０？） 不過跑出來還是怪怪的　跟paper上的idvg不太像　 不知道是我的製程方面出問題還是．．． -- 以上或許看起來很亂 不知道要問什麼 不過總歸一句 我要問的是以上這兩種(fn和che)的erase writting偏壓方式 也希望可以告知一般大約電壓是用多少 希望有經驗的大大能幫忙 謝謝!! -- 殘雪未盡　殤風又吹　有道是愁難盡也！ --

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