小弟不才　 想请问各位先进一些有关於记忆体（SONOS）写入与抹除方面的问题 近期来　我在做有关於SONOS方面的ISE TCAD模拟 而在id-vg的模拟这方面我一直模拟不出我要的结果 我想可能的原因可能在於偏压（？） 我查了很多篇paper　关於写入与抹除的方式 大概就是分为：热电子注入和F-N穿遂　这两种形式 =====================以下就是不确定、我有疑惑的，有错请鞭==================== 对於F-N穿遂　我看到的paper是在闸极加大电压（约１０来伏） 而source和drain都是接地　写入和抹除只差在闸极是正或是负 然而，我用ISE TCAD模拟不出任何结果 我也不晓得是什麽问题 (囧，我是用gate=正十伏，source & drain=接地） 还是我根本就搞错他的偏压方式？有人知道正确的偏压方式吗？ 可以给我一个大概的电压范围吗？（如gate=?V drain=?V etc) 对於热电子注入　我看到的paper都是gate和drain作偏压 而大多数都是施予gate一个大电压（通常有个范围） drain的话　就是一个约一到三伏特之间的定电压 而写入和读取　也都是只差在闸极是正还是负而已（？） 然而，我在模拟写入的时候，给的数据是Vg=０到１０　Vd=３ （教授给了我一个疑惑，Vg是０到１０还是１０到０？） 不过跑出来还是怪怪的　跟paper上的idvg不太像　 不知道是我的制程方面出问题还是．．． -- 以上或许看起来很乱 不知道要问什麽 不过总归一句 我要问的是以上这两种(fn和che)的erase writting偏压方式 也希望可以告知一般大约电压是用多少 希望有经验的大大能帮忙 谢谢!! -- 残雪未尽　殇风又吹　有道是愁难尽也！ --

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