作者cooltau (~coolman~)
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標題[問題] MOS and BJT
時間Sat Oct 20 11:32:46 2007
想問一下哪個才是具有高驅動電流能力阿??
兩個老師講的不一樣.
一個說MOS 一個說BJT
而且什麼是高驅動電流能力阿??
從何處可得知??為什麼???
請各位板大指點...謝謝^^
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.224.74.171
1F：→ you2:Razavi說 BJT ... 理由去找他的課本 10/20 12:46
2F：推 l1l1l1l1:是BJT 10/20 13:38
3F：推 johnnyj2tsai:BJT +1 10/20 14:26
4F：推 cpt:Ic v.s Vce 和 Id v.s Vgs 兩公式比較一下, 當然是指數的樂勝 10/20 14:57
5F：推 coye:BJT,但有thermal runaway的問題 10/20 15:07
6F：推 yang2136:可是以前有聽說POWER-MOS的驅動電流能力比POWER-BJT大說~ 10/20 15:35
7F：推 cpt:那種材料不同(GaAs, InP..), 跟Si-based的MOS/BJT是兩個世界啊 10/20 16:09
8F：推 tingyun60426:電子學好像寫BJT是電流，FET是電壓耶!! 10/20 19:12
9F：→ tingyun60426:同意cpt大的看法!!MOS/BJT是兩個世界 10/20 19:12
10F：推 coye:如果是大功率使用的話,powerMOS比較快 10/20 19:25
11F：推 pow:cpt指的兩個世界是Si-base跟非Si-base....不是MOS/BJT 10/20 20:34
12F：推 bzgibson:推C~~正確 10/21 10:07
13F：→ bzgibson:回t~字面上雖然是電壓~但動作上還是都是電流 10/21 10:08
14F：推 cooltau:還是不太懂耶..所以用在power是MOS囉?用在IC是BJT？ 10/22 23:41
15F：推 akiottm:MOS平方,BJT指數指的是電壓小信號轉成電流的轉導能力差別 10/23 09:25
16F：推 akiottm:與driving能力不同,大電流驅動要考慮的是散熱與Latch-up 10/23 09:29
17F：推 mpthree:Ic:9 decade of exponential current vBE 10/23 22:42
18F：→ mpthree:Id: 2~3 decades of square law behavior 10/23 22:44