作者cooltau (~coolman~)
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标题[问题] MOS and BJT
时间Sat Oct 20 11:32:46 2007
想问一下哪个才是具有高驱动电流能力阿??
两个老师讲的不一样.
一个说MOS 一个说BJT
而且什麽是高驱动电流能力阿??
从何处可得知??为什麽???
请各位板大指点...谢谢^^
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 61.224.74.171
1F：→ you2:Razavi说 BJT ... 理由去找他的课本 10/20 12:46
2F：推 l1l1l1l1:是BJT 10/20 13:38
3F：推 johnnyj2tsai:BJT +1 10/20 14:26
4F：推 cpt:Ic v.s Vce 和 Id v.s Vgs 两公式比较一下, 当然是指数的乐胜 10/20 14:57
5F：推 coye:BJT,但有thermal runaway的问题 10/20 15:07
6F：推 yang2136:可是以前有听说POWER-MOS的驱动电流能力比POWER-BJT大说~ 10/20 15:35
7F：推 cpt:那种材料不同(GaAs, InP..), 跟Si-based的MOS/BJT是两个世界啊 10/20 16:09
8F：推 tingyun60426:电子学好像写BJT是电流，FET是电压耶!! 10/20 19:12
9F：→ tingyun60426:同意cpt大的看法!!MOS/BJT是两个世界 10/20 19:12
10F：推 coye:如果是大功率使用的话,powerMOS比较快 10/20 19:25
11F：推 pow:cpt指的两个世界是Si-base跟非Si-base....不是MOS/BJT 10/20 20:34
12F：推 bzgibson:推C~~正确 10/21 10:07
13F：→ bzgibson:回t~字面上虽然是电压~但动作上还是都是电流 10/21 10:08
14F：推 cooltau:还是不太懂耶..所以用在power是MOS罗?用在IC是BJT？ 10/22 23:41
15F：推 akiottm:MOS平方,BJT指数指的是电压小信号转成电流的转导能力差别 10/23 09:25
16F：推 akiottm:与driving能力不同,大电流驱动要考虑的是散热与Latch-up 10/23 09:29
17F：推 mpthree:Ic:9 decade of exponential current vBE 10/23 22:42
18F：→ mpthree:Id: 2~3 decades of square law behavior 10/23 22:44