※ 引述《jnlien (*大胖幾*)》之銘言： : 標題: Re: [問題] spice的medel檔如何找出KP? : 時間: Fri Aug 24 03:32:24 2007 : : : 在submicron以後的製程中會有short channel effect， : 像是velocity saturation等等(可參考Razavi的AIC)， : 因此unCox或是upCox其實不是一個常數(在不同偏壓條件下會有變化)。 : 一般的作法是針對各種狀況去跑simulation， : 然後做curve fitting找到最佳的unCox或upCox值， : 這樣做出來的設計第一次跑模擬 當然會有些不準(跟預期值差10%~30%)， : 但是通常足以讓電路中重要的電晶體都進入saturation region， : 一旦進入saturation region後就比較容易藉由調整size來達到想要的值， : 因此知道如何調整size來達到想要的偏壓、gm、電流等等是很重要的， : 這就是經驗的可貴了~ : 如果真的覺得這樣設計電路很沒成就感(做出來都跟算出來的差很多)， : 可以去找一種叫做gm/Id Method的查表法， : 算出來的size直接跑模擬 誤差跟預期值通常不會超過10%， : 舉例來說， : 這樣的方法在Op amp的設計上是很實用的。 : : -- :

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) : ◆ From: 122.123.139.66 : 推 deathcustom:其實short channel在.35之類的製程就有了 08/24 03:35 : 推 deathcustom:第一個是L會影響Vth 08/24 03:35 : 推 deathcustom:這部分的資料可以去參考Yuan Tao的書 08/24 03:36 : 推 deathcustom:基本上，AIC學到的是很簡化的MODEL 08/24 03:37 : 推 deathcustom:不過對於一般設計來說，那也就夠了 08/24 03:37 : → jnlien:現在Hspice的model已經複雜到數學式無法表示了@@ 08/24 03:38 : → jnlien:說不定再進化下去 將來的製程沒辦法用square law設計 08/24 03:39 : → jnlien:好奇問一下 112有人在使用gm/Id method嗎？ 08/24 03:42 : → jnlien:這個方法有沒有什麼嚴重的缺點或是要注意的地方？ 08/24 03:42 jnlien的回答與deathcustom的回答已經很棒! 我想能補充的只是 除了L影響Vth之外, 還有很多效應, 完整的可以參考BSIM3v3 model吧.. 但是做circuit design的人來說, 的確不需要瞭解這麼多.. 還有設計時其實多調幾次都是會ok的, 要擔心的是這樣子spice simulation OK 的電路真的做成IC之後會是如何? Vds與Vgs偏壓條件使MOS太靠近triode region 與saturation region的margin時, 到時候做出來也許會掉進triode region.. 另外, 我很好奇gm/Id的方法是怎麼一回事? 如果是查表法的話, 那直接模擬不是更快? XD --

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