※ 引述《jnlien (*大胖几*)》之铭言： : 标题: Re: [问题] spice的medel档如何找出KP? : 时间: Fri Aug 24 03:32:24 2007 : : : 在submicron以後的制程中会有short channel effect， : 像是velocity saturation等等(可参考Razavi的AIC)， : 因此unCox或是upCox其实不是一个常数(在不同偏压条件下会有变化)。 : 一般的作法是针对各种状况去跑simulation， : 然後做curve fitting找到最佳的unCox或upCox值， : 这样做出来的设计第一次跑模拟 当然会有些不准(跟预期值差10%~30%)， : 但是通常足以让电路中重要的电晶体都进入saturation region， : 一旦进入saturation region後就比较容易藉由调整size来达到想要的值， : 因此知道如何调整size来达到想要的偏压、gm、电流等等是很重要的， : 这就是经验的可贵了~ : 如果真的觉得这样设计电路很没成就感(做出来都跟算出来的差很多)， : 可以去找一种叫做gm/Id Method的查表法， : 算出来的size直接跑模拟 误差跟预期值通常不会超过10%， : 举例来说， : 这样的方法在Op amp的设计上是很实用的。 : : -- :

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) : ◆ From: 122.123.139.66 : 推 deathcustom:其实short channel在.35之类的制程就有了 08/24 03:35 : 推 deathcustom:第一个是L会影响Vth 08/24 03:35 : 推 deathcustom:这部分的资料可以去参考Yuan Tao的书 08/24 03:36 : 推 deathcustom:基本上，AIC学到的是很简化的MODEL 08/24 03:37 : 推 deathcustom:不过对於一般设计来说，那也就够了 08/24 03:37 : → jnlien:现在Hspice的model已经复杂到数学式无法表示了@@ 08/24 03:38 : → jnlien:说不定再进化下去 将来的制程没办法用square law设计 08/24 03:39 : → jnlien:好奇问一下 112有人在使用gm/Id method吗？ 08/24 03:42 : → jnlien:这个方法有没有什麽严重的缺点或是要注意的地方？ 08/24 03:42 jnlien的回答与deathcustom的回答已经很棒! 我想能补充的只是 除了L影响Vth之外, 还有很多效应, 完整的可以参考BSIM3v3 model吧.. 但是做circuit design的人来说, 的确不需要了解这麽多.. 还有设计时其实多调几次都是会ok的, 要担心的是这样子spice simulation OK 的电路真的做成IC之後会是如何? Vds与Vgs偏压条件使MOS太靠近triode region 与saturation region的margin时, 到时候做出来也许会掉进triode region.. 另外, 我很好奇gm/Id的方法是怎麽一回事? 如果是查表法的话, 那直接模拟不是更快? XD --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 59.114.126.22