※ 引述《twomix46 (歐洲)》之銘言： : ※ 引述《coldleaf (姊姊餓很久了!)》之銘言： : : 只要dead-time做的夠大就是ZVS了嗎? : 不是，要確保切換時跨於MOS時的電壓接近零(ZVS)，或切換時流過MOS的電流 : 接近零(ZCS)，至於dead-time的決定和元件有關係，最佳的dead-time，個人 : 是利用示波器try and error決定的，因為必須考慮元件的誤差 : : 如果想要實現ZVS需要額外加入很多電路嗎? : 目前的電路有半橋(2顆功率晶體)和全橋諧振(4顆)，相較於單晶(1顆)，需要 : 多1~3顆功率晶體，另外還有隔離變壓器，去推HIGH SIDE 的MOS，至於周邊的 : 控制電路部分，現在的IC都已經包進去了，現在的類比IC還是歐美商可靠度高 感謝twomix46版友熱心回答! 仍有一些問題想問, 因此回文保留想繼續 深入討論的部分, 其餘已經沒有問題的部分恕刪. 因為本身的background是IC design, 因此如果從IC design的的觀點來看, 想繼續請教的是, "確保切換時跨於MOS上的電壓接近零"這個目標, 對我們設計PWM controller來說, 感覺起來似乎不易達到? 文中所提到的利用示波器try and error決定的話, 感覺起來似乎是指discrete元件 或者是實驗階段, 個人比較好奇的是, 如果是IC實現的話, ZVS切換condition有辦法被保證嗎? 會覺得不容易的原因是: 為了要知道MOS的狀態, 因此需要偵測MOS跨壓. 如果是高壓元件, 為了偵測 MOS跨壓, 又要許多額外的電路. 例如說K.T.Mok在JSSC上所發表的文章, 內含 的current sensor電路. 即使此電路可行, 但是偵測到MOS狀態到使MOS gate driver 及時做出反應也是另一大挑戰.. 所以想請教的是ZVS切換是否有機會在IC上實現? 或者真的只能用try and error? 謝謝. --

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