※ 引述《twomix46 (欧洲)》之铭言： : ※ 引述《coldleaf (姊姊饿很久了!)》之铭言： : : 只要dead-time做的够大就是ZVS了吗? : 不是，要确保切换时跨於MOS时的电压接近零(ZVS)，或切换时流过MOS的电流 : 接近零(ZCS)，至於dead-time的决定和元件有关系，最佳的dead-time，个人 : 是利用示波器try and error决定的，因为必须考虑元件的误差 : : 如果想要实现ZVS需要额外加入很多电路吗? : 目前的电路有半桥(2颗功率晶体)和全桥谐振(4颗)，相较於单晶(1颗)，需要 : 多1~3颗功率晶体，另外还有隔离变压器，去推HIGH SIDE 的MOS，至於周边的 : 控制电路部分，现在的IC都已经包进去了，现在的类比IC还是欧美商可靠度高 感谢twomix46版友热心回答! 仍有一些问题想问, 因此回文保留想继续 深入讨论的部分, 其余已经没有问题的部分恕删. 因为本身的background是IC design, 因此如果从IC design的的观点来看, 想继续请教的是, "确保切换时跨於MOS上的电压接近零"这个目标, 对我们设计PWM controller来说, 感觉起来似乎不易达到? 文中所提到的利用示波器try and error决定的话, 感觉起来似乎是指discrete元件 或者是实验阶段, 个人比较好奇的是, 如果是IC实现的话, ZVS切换condition有办法被保证吗? 会觉得不容易的原因是: 为了要知道MOS的状态, 因此需要侦测MOS跨压. 如果是高压元件, 为了侦测 MOS跨压, 又要许多额外的电路. 例如说K.T.Mok在JSSC上所发表的文章, 内含 的current sensor电路. 即使此电路可行, 但是侦测到MOS状态到使MOS gate driver 及时做出反应也是另一大挑战.. 所以想请教的是ZVS切换是否有机会在IC上实现? 或者真的只能用try and error? 谢谢. --

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