作者koal (嚕啦啦)
看板Electronics
標題Re: [問題] 使用medici模擬NMOS的問題
時間Thu May 24 01:30:07 2007
關於Vth的問題，大概可以確定是因為EXTRACT指令的關係了，
EXTRACT只能用在線性區域，如果用在非線性區域就會產生誤差，
這就是為什麼會有Vd↑，Vth↑的奇怪結果。
另外，在做模擬的時候，1μm的通道長度其實還是會發生些許DIBL的，
只是沒有短通道來得嚴重。
謝謝大家熱心的討論和回答囉！:)
※ 引述《turco (轉吧SILVACO)》之銘言：
: Channel length為1μm屬於長通道了，Vd=1.5V應該不會有DIBL
: 你可以把你的model跟抽Vth的方式PO上來大家一起討論看看嚕
: ※ 引述《Sai000 (╮(-_-)╭)》之銘言：
: : 很開心找到個也是用TCAD進行模擬的同伴
: : 如果有問題 不妨可以交流交流^^
: : 廢話不多說 剛剛某版友已提出最主要的關鍵解答DIBL效應
: : 不才在下為了多賺點P幣 就詳細的說明一下
: : 如有不明白或不正確的地方 煩請各版友提點 <(_ _)>
: : MOSFET元件的閘極電壓小於臨限電壓時，基板在源極與汲極之間會形成一位能障，
: : 以限制電子由源極流向汲極。在長通道元件中，汲極接面處的空乏層寬度並不會
: : 影響位能障高度(barrir height)；然而，當短通道MOSFET的汲極電壓增加時，因
: : 為空乏層與位能障高度過度接近，使得源極和通道之間的能障下降。
: : 在源極與通道間的表面能障會有個下降量，
: : 這就是所謂的汲極引發能障衰退(Drain Induced Barrier Lowering DIBL)。
: : 如此一來，則會有過量的載子電荷注入通道中，引起次臨限電流的增加，
: : 而造成在短通道元件中，臨限電壓會隨著汲極電壓的升高而下降。
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◆ From: 220.134.30.220
1F：推 ETAlien:請問你知道EXTRACT指令計算Vth的算法嗎!? 05/24 10:08
2F：→ koal:不知道，我只約略知道是線性逼近，詳細的內容我就不清楚了 05/24 15:11
3F：→ koal:會有這樣的結論是向學長們和老師問出來，以及和自己的模擬相 05/24 15:14
4F：→ koal:印證 05/24 15:15