作者koal (噜啦啦)
看板Electronics
标题Re: [问题] 使用medici模拟NMOS的问题
时间Thu May 24 01:30:07 2007
关於Vth的问题，大概可以确定是因为EXTRACT指令的关系了，
EXTRACT只能用在线性区域，如果用在非线性区域就会产生误差，
这就是为什麽会有Vd↑，Vth↑的奇怪结果。
另外，在做模拟的时候，1μm的通道长度其实还是会发生些许DIBL的，
只是没有短通道来得严重。
谢谢大家热心的讨论和回答罗！:)
※ 引述《turco (转吧SILVACO)》之铭言：
: Channel length为1μm属於长通道了，Vd=1.5V应该不会有DIBL
: 你可以把你的model跟抽Vth的方式PO上来大家一起讨论看看噜
: ※ 引述《Sai000 (╮(-_-)╭)》之铭言：
: : 很开心找到个也是用TCAD进行模拟的同伴
: : 如果有问题 不妨可以交流交流^^
: : 废话不多说 刚刚某版友已提出最主要的关键解答DIBL效应
: : 不才在下为了多赚点P币 就详细的说明一下
: : 如有不明白或不正确的地方 烦请各版友提点 <(_ _)>
: : MOSFET元件的闸极电压小於临限电压时，基板在源极与汲极之间会形成一位能障，
: : 以限制电子由源极流向汲极。在长通道元件中，汲极接面处的空乏层宽度并不会
: : 影响位能障高度(barrir height)；然而，当短通道MOSFET的汲极电压增加时，因
: : 为空乏层与位能障高度过度接近，使得源极和通道之间的能障下降。
: : 在源极与通道间的表面能障会有个下降量，
: : 这就是所谓的汲极引发能障衰退(Drain Induced Barrier Lowering DIBL)。
: : 如此一来，则会有过量的载子电荷注入通道中，引起次临限电流的增加，
: : 而造成在短通道元件中，临限电压会随着汲极电压的升高而下降。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.134.30.220
1F：推 ETAlien:请问你知道EXTRACT指令计算Vth的算法吗!? 05/24 10:08
2F：→ koal:不知道，我只约略知道是线性逼近，详细的内容我就不清楚了 05/24 15:11
3F：→ koal:会有这样的结论是向学长们和老师问出来，以及和自己的模拟相 05/24 15:14
4F：→ koal:印证 05/24 15:15