作者normanshi (原則就是原則)
看板Electronics
標題[問題] subthreshold leakage current
時間Sun Apr 22 23:33:57 2007
不好意思 又是做題目做到想不出來
希望有人可以給點提示
前面的問題是要找出常溫時inverter的次臨界電壓時的漏電流
條件是 A = 0 , betan = 2 betap = 1mA/V^2 , n = 1.4 Vt = 0.4V
假設DIBL 和 Body effect忽略
這題的Ids我算出來了 公式是
[Vgs-Vt)/(n*VT)] (-Vds/VT)
Ids = Ids0 * e * (1 - e )
1.8
Ids0 = beta * VT^2 * e
後面問的是 以unit transistors做出NAND , input A = B = 0
請證明此NAND的次臨界電壓時的漏電流為上一個inverter的一半
這個我想了很久想不出來...
unit transistors做出的NAND應該還是長成如下圖這樣不是嗎?
______________ Vdd
_| _|
A -o||_ B -o||_
|__________|
|____ Y
_|
A -||_
_|
B -||_
|
GND
但是在上面的公式中 我實在找不出有什麼因素會讓Ids變成原來的1/2倍
希望有人可以幫我解答一下疑慮或提示一下也好
謝謝~!!
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◆ From: 140.120.227.101
1F：推 deathcustom:nmos部分兩個mos串連，所以電流減半 04/23 11:34
2F：推 normanshi:我不懂 為什麼nMOS串聯電流會變原來一半...? 04/23 14:06
3F：推 chenchenkuo:樓上可以看看4693篇 04/23 16:58
4F：推 normanshi:我換個方式問... 那從我這篇的公式要怎麼證明出來呢? 04/23 18:39