作者normanshi (原则就是原则)
看板Electronics
标题[问题] subthreshold leakage current
时间Sun Apr 22 23:33:57 2007
不好意思 又是做题目做到想不出来
希望有人可以给点提示
前面的问题是要找出常温时inverter的次临界电压时的漏电流
条件是 A = 0 , betan = 2 betap = 1mA/V^2 , n = 1.4 Vt = 0.4V
假设DIBL 和 Body effect忽略
这题的Ids我算出来了 公式是
[Vgs-Vt)/(n*VT)] (-Vds/VT)
Ids = Ids0 * e * (1 - e )
1.8
Ids0 = beta * VT^2 * e
後面问的是 以unit transistors做出NAND , input A = B = 0
请证明此NAND的次临界电压时的漏电流为上一个inverter的一半
这个我想了很久想不出来...
unit transistors做出的NAND应该还是长成如下图这样不是吗?
______________ Vdd
_| _|
A -o||_ B -o||_
|__________|
|____ Y
_|
A -||_
_|
B -||_
|
GND
但是在上面的公式中 我实在找不出有什麽因素会让Ids变成原来的1/2倍
希望有人可以帮我解答一下疑虑或提示一下也好
谢谢~!!
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◆ From: 140.120.227.101
1F：推 deathcustom:nmos部分两个mos串连，所以电流减半 04/23 11:34
2F：推 normanshi:我不懂 为什麽nMOS串联电流会变原来一半...? 04/23 14:06
3F：推 chenchenkuo:楼上可以看看4693篇 04/23 16:58
4F：推 normanshi:我换个方式问... 那从我这篇的公式要怎麽证明出来呢? 04/23 18:39