作者jearon (jearon)
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標題[問題] ideal schottky diode and ohmic contact形成的原理
時間Sat Apr 14 12:38:12 2007
一般的高barrier height 的schottky diode形成常有fermi level pinning effect
常使用passivation之方法(硫化..)或是低能量鍍膜方法(電鍍法)或是以MIS來取代MS
結構==>請問其原理是利用(1)硫化和MIS可和半導體表面形成某些化學建(2)低能附膜是利用
降低半導體surface之破壞使懸鍵減少==>這樣想對ㄇ??
針對ohmic contact常看到利用不同金屬種類去鍍附
試出某些種類對某特定半導體其電阻較低
請問其機制為何??
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