作者jearon (jearon)
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标题[问题] ideal schottky diode and ohmic contact形成的原理
时间Sat Apr 14 12:38:12 2007
一般的高barrier height 的schottky diode形成常有fermi level pinning effect
常使用passivation之方法(硫化..)或是低能量镀膜方法(电镀法)或是以MIS来取代MS
结构==>请问其原理是利用(1)硫化和MIS可和半导体表面形成某些化学建(2)低能附膜是利用
降低半导体surface之破坏使悬键减少==>这样想对ㄇ??
针对ohmic contact常看到利用不同金属种类去镀附
试出某些种类对某特定半导体其电阻较低
请问其机制为何??
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